Prospects of spin transport electronics
Вантажиться...
Дата
2011
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУУ «КПІ»
Анотація
This review provides basic information on spintronics. Briefly described the effects on which the development of spintronic nanoscale devices are based: giant magneto-resistance, spin-dependent tunnelling effect, transport of spin-polarized current, the creation of spin polarized current torque for a magnetic switch and the motion of the magnetization of magnetic domains. As a example of successive applications spin-dependent devices are given parameters of magnetic memories based on use of spintronics components. It is shown that such memory is competitive to nowadays standard memories (at 90 nm) and has the po tential for future development (for example, re ducing the critical size to 32 nm).
Опис
Ключові слова
spintronics, magneto-resistance, spin-polarized current, magnetic memories, спінтроніка, магніто-опір, спін-поляризований струм, спін-поляризований струм, магнітна пам'ять
Бібліографічний опис
Prospects of spin transport electronics / Mladenov G., Koleva E., Spivak V., Bogdan A., Zelensky S. // Электроника и связь : научно-технический журнал. Тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии». – 2011. – №3(62). – С. 9-13. – Бібліогр.: 8 назв.