Prospects of spin transport electronics
dc.contributor.author | Mladenov, G. | |
dc.contributor.author | Koleva, E. | |
dc.contributor.author | Spivak, V. | |
dc.contributor.author | Bogdan, A. | |
dc.contributor.author | Zelensky, S. | |
dc.date.accessioned | 2023-10-06T07:58:25Z | |
dc.date.available | 2023-10-06T07:58:25Z | |
dc.date.issued | 2011 | |
dc.description.abstract | This review provides basic information on spintronics. Briefly described the effects on which the development of spintronic nanoscale devices are based: giant magneto-resistance, spin-dependent tunnelling effect, transport of spin-polarized current, the creation of spin polarized current torque for a magnetic switch and the motion of the magnetization of magnetic domains. As a example of successive applications spin-dependent devices are given parameters of magnetic memories based on use of spintronics components. It is shown that such memory is competitive to nowadays standard memories (at 90 nm) and has the po tential for future development (for example, re ducing the critical size to 32 nm). | uk |
dc.description.abstractother | В огляді наведені основні відомості про спинтронике. Коротко описаны эффекты, на яких базується розвиток спінтронних наноразмерных приборов: гігантське магнетостійкість, спін-залежний туннельний ефект, транспорт спін-поляризованого току, створення спін-поляризованого потоку обертового моменту для магнітного переключення намагнічування та руху магнітних областей. Як приклад успішного застосування спінтронних приладів наведені параметри магнітної пам'яті зі спінтронними компонентами. Показано, что такая пам'ять конкурентоздатна (при 90 нм) при реалізація сучасних запам'ятовуючих пристроїв і має потенціал для майбутнього розвитку (при зменшенні розмірів до 32 нм). | uk |
dc.format.pagerange | Pp. 9-13 | uk |
dc.identifier.citation | Prospects of spin transport electronics / Mladenov G., Koleva E., Spivak V., Bogdan A., Zelensky S. // Электроника и связь : научно-технический журнал. Тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии». – 2011. – №3(62). – С. 9-13. – Бібліогр.: 8 назв. | uk |
dc.identifier.doi | https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264053 | |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/61001 | |
dc.language.iso | en | uk |
dc.publisher | НТУУ «КПІ» | uk |
dc.publisher.place | Київ | uk |
dc.relation.ispartof | Электроника и связь: научно-технический журнал, № 3(62) | uk |
dc.rights.uri | https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | |
dc.subject | spintronics | uk |
dc.subject | magneto-resistance | uk |
dc.subject | spin-polarized current | uk |
dc.subject | magnetic memories | uk |
dc.subject | спінтроніка | uk |
dc.subject | магніто-опір | uk |
dc.subject | спін-поляризований струм | |
dc.subject | спін-поляризований струм | |
dc.subject | магнітна пам'ять | |
dc.subject.udc | 681.382 | uk |
dc.title | Prospects of spin transport electronics | uk |
dc.title.alternative | Перспективи спінової транспортної електроніки | |
dc.type | Article | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- 264053-621372-1-10-20221219.pdf
- Розмір:
- 174.88 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: