Prospects of spin transport electronics

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorMladenov, G.
dc.contributor.authorKoleva, E.
dc.contributor.authorSpivak, V.
dc.contributor.authorBogdan, A.
dc.contributor.authorZelensky, S.
dc.date.accessioned2023-10-06T07:58:25Z
dc.date.available2023-10-06T07:58:25Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractThis review provides basic information on spintronics. Briefly described the effects on which the development of spintronic nanoscale devices are based: giant magneto-resistance, spin-dependent tunnelling effect, transport of spin-polarized current, the creation of spin polarized current torque for a magnetic switch and the motion of the magnetization of magnetic domains. As a example of successive applications spin-dependent devices are given parameters of magnetic memories based on use of spintronics components. It is shown that such memory is competitive to nowadays standard memories (at 90 nm) and has the po tential for future development (for example, re ducing the critical size to 32 nm).uk
dc.description.abstractotherВ огляді наведені основні відомості про спинтронике. Коротко описаны эффекты, на яких базується розвиток спінтронних наноразмерных приборов: гігантське магнетостійкість, спін-залежний туннельний ефект, транспорт спін-поляризованого току, створення спін-поляризованого потоку обертового моменту для магнітного переключення намагнічування та руху магнітних областей. Як приклад успішного застосування спінтронних приладів наведені параметри магнітної пам'яті зі спінтронними компонентами. Показано, что такая пам'ять конкурентоздатна (при 90 нм) при реалізація сучасних запам'ятовуючих пристроїв і має потенціал для майбутнього розвитку (при зменшенні розмірів до 32 нм).uk
dc.format.pagerangePp. 9-13uk
dc.identifier.citationProspects of spin transport electronics / Mladenov G., Koleva E., Spivak V., Bogdan A., Zelensky S. // Электроника и связь : научно-технический журнал. Тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии». – 2011. – №3(62). – С. 9-13. – Бібліогр.: 8 назв.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264053
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/61001
dc.language.isoenuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.relation.ispartofЭлектроника и связь: научно-технический журнал, № 3(62)uk
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectspintronicsuk
dc.subjectmagneto-resistanceuk
dc.subjectspin-polarized currentuk
dc.subjectmagnetic memoriesuk
dc.subjectспінтронікаuk
dc.subjectмагніто-опірuk
dc.subjectспін-поляризований струм
dc.subjectспін-поляризований струм
dc.subjectмагнітна пам'ять
dc.subject.udc681.382uk
dc.titleProspects of spin transport electronicsuk
dc.title.alternativeПерспективи спінової транспортної електроніки
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
264053-621372-1-10-20221219.pdf
Розмір:
174.88 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Электроника и связь: научно-технический журнал, № 3(62)