Високочастотні властивості GaN, AlN та InN у сильних полях
Вантажиться...
Дата
2019
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Опис
Ключові слова
III-нітриди, нітрид галію, нітрид алюмінію, нітрид індію, механізми розсіювання, міждолинне розсіювання, часи релаксації, сильне електричне поле, балістичний транспорт, динамічні характеристики, гранична частота, III-nitrides, gallium nitride, aluminum nitride, indium nitride, scattering mechanisms, inter-valley scattering, relaxation times, strong electric field, ballistic transport, dynamic performance, cutoff frequency, III-нитриды, нитрид галлия, нитрид алюминия, нитрид индия, механизмы рассеяния, междолинное рассеяние, времена релаксации, сильное электрическое поле, баллистический транспорт, динамические характеристики, граничная частота
Бібліографічний опис
Куліков, К. В. Високочастотні властивості GaN, AlN та InN у сильних полях / Куліков К. В., Москалюк В. О., Тимофєєв В. І. // Мікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал. – 2019. – Т. 24, № 3(110). – С. 20–32. – Бібліогр.: 15 назв.