Метод моделювання імпульсних та частотних характеристик ІІІ-нітридів
dc.contributor.advisor | Москалюк, Володимир Олександрович | |
dc.contributor.author | Куліков, Костянтин Вячеславович | |
dc.date.accessioned | 2021-04-16T09:59:36Z | |
dc.date.available | 2021-04-16T09:59:36Z | |
dc.date.issued | 2021 | |
dc.description.abstractuk | У рукопису запропоновано метод моделювання і аналізу імпульсних та високочастотних властивостей багатодолинних напівпровідників. Модель застосовано до сучасних, актуальних і, як буде доведено у тому числі у рукописі, перспективних напівпровідникових матеріалів GaN, AlN і InN, які зараз все більше стають відомі під узагальнюючою назвою III-нітриди. Метод відрізняється можливістю застосування одночасно як для динамічних задач у часі, так і змінних у просторі полів та збалансованим використанням обчислювальних ресурсів без істотних втрат точності. Базисом запропонованого підходу є чисельне рішення системи диференціальних рівнянь, які отримані з кінетичного рівняння Больцмана у наближенні часу релаксації по функції розподілу у k-просторі. Ці рівняння відомі під узагальненою назвою релаксаційних. В англомовній літературі цей метод зустрічається під назвою «Method of moments» (метод моментів). Але на відміну від традиційного використання рівнянь для концентрації носіїв, їх імпульсу і енергії у праці використано замість рівняння релаксації енергії рівняння для електронної температури як міри середньої енергії тільки хаотичного руху. Друга принципова відмінність полягає в тому, що часи релаксації визначаються через усереднення квантовомеханічних швидкостей розсіювання, зазвичай використовуваних у методі Монте-Карло, для окремих видів розсіювання, а не як інтегральні значення із статичних характеристик матеріалу. Різні механізми розсіювання носіїв враховуються через специфічні для них часи релаксації за допомогою проведення усереднення за максвеллівською функцією розподілу в наближенні електронної температури. Система отриманих рівнянь включає рівняння у частинних похідних як за часом так і за координатами, що дає можливість дослідити характерні прояви імпульсних властивостей напівпровідникових матеріалів, зокрема: «балістичний транспорт» носіїв у просторі та ефект «сплеску» дрейфової швидкості у часі. Вперше розглянуто використання Фур’є-перетворення імпульсної залежності дрейфової швидкості носіїв для обчислення максимальних частот, на яких у напівпровіднику можлива провідність. Форма спектральної характеристики швидкості дрейфу носіїв демонструє зв’язок з механізмами розсіювання, які переважають в даному електричному полі. Властивості III- нітридів у сильному електричному полі проаналізовано у частотній області і робиться порівняння з опублікованими методами оцінки максимальних частот провідності напівпровідникових матеріалів. Показано, що граничні частоти збільшуються із зростанням напруженості електричного поля і складають для III-нітридів сотні гігагерців, а для нітриду алюмінію зокрема перевищують тисячу гігагерців. Це пов’язано, за висновками роботи, з найбільшими для нього міждолинними відстанями і відповідно з порівняно ослабленим міждолинним розсіюванням. Проведений аналіз просторового прояву ефекту «сплеску» демонструє можливість балістичного прольоту носіїв (практично без зіткнень) у сильному полі на відстані до сотих і десятих часток мікрометра. | uk |
dc.format.page | 142 с | uk |
dc.identifier.citation | Куліков, К. В. Метод моделювання імпульсних та частотних характеристик ІІІ-нітридів : дис. … канд. техн. наук. : 05.27.01 - твердотільна електроніка / Куліков Костянтин Вячеславович. – Київ, 2021. – 142 с. | uk |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/40644 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher.place | Київ | uk |
dc.subject | нітрид галію | uk |
dc.subject | нітрид алюмінію | uk |
dc.subject | нітрид індію | uk |
dc.subject | III нітриди | uk |
dc.subject | механізми розсіювання | uk |
dc.subject | міждолинне розсіювання | uk |
dc.subject | часи релаксації | uk |
dc.subject | сильне електричне поле | uk |
dc.subject | балістичний транспорт | uk |
dc.subject | динамічні характеристики | uk |
dc.subject | гранична частота | uk |
dc.subject | III-nitrides | uk |
dc.subject | gallium nitride | uk |
dc.subject | aluminum nitride | uk |
dc.subject | indium nitride | uk |
dc.subject | scattering mechanisms | uk |
dc.subject | inter-valley scattering | uk |
dc.subject | relaxation times | uk |
dc.subject | strong electric field | uk |
dc.subject | overshoot | uk |
dc.subject | dynamic performance | uk |
dc.subject | cutoff frequency | uk |
dc.subject.udc | 621.382 | uk |
dc.title | Метод моделювання імпульсних та частотних характеристик ІІІ-нітридів | uk |
dc.type | Thesis Doctoral | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- Kulikov_dys.pdf
- Розмір:
- 6.67 MB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 9.01 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: