Программа моделирования процесса экспонирования резиста в электронно-лучевой литографии

dc.contributor.authorПетренко, А. И.
dc.contributor.authorМолявко, А. С.
dc.date.accessioned2013-11-26T09:26:21Z
dc.date.available2013-11-26T09:26:21Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractenA program used to simulate resist exposure process in electron-beam lithography is described. As input data the program uses layout geometry and parameters of electron-beam system. An example of simulation results is given, and capabilities and limitations of simulation program are described.uk
dc.description.abstractruОписана программа, позволяющая моделировать процесс экспонирования резиста в электронно-лучевой литографии и использующая в качестве входных данных геометрическое описание маски и параметры электронно-лучевой системы. Приведен пример результатов моделирования и описаны возможности программы.uk
dc.format.pagerangeС. 30-33uk
dc.identifier.citationПетренко А. И. Программа моделирования процесса экспонирования резиста в электронно-лучевой литографии / А. И. Петренко, А. С. Молявко // Вісник НТУУ «КПІ». Інформатика, управління та обчислювальна техніка : збірник наукових праць. – 2009. – № 50. – С. 30–33. – Бібліогр.: 6 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/6075
dc.language.isoruuk
dc.publisherВек+uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceВісник НТУУ «КПІ». Інформатика, управління та обчислювальна техніка: збірник наукових працьuk
dc.source.nameВісник НТУУ «КПІ». Інформатика, управління та обчислювальна технікаuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subject.udc62-82:658.512.011.56uk
dc.titleПрограмма моделирования процесса экспонирования резиста в электронно-лучевой литографииuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
50_05.pdf
Розмір:
194.46 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: