Методи контролю процесу травлення технологічних шарів надвеликих інтегральних схем

dc.contributor.advisorПисаренко, Леонід Дмитрович
dc.contributor.authorСухобок, Максим Олегович
dc.date.accessioned2024-03-04T12:27:56Z
dc.date.available2024-03-04T12:27:56Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstractМетою даної роботи є розробка та дослідження методики послідовного використання способів контролю процесу травлення надвеликих інтегральних схем, з допомогою електронної мікроскопії. Продемонстровані результати експериментальних досліджень-розрахунків. Одним із важливих моментів у виробництві та дослідженні інтегральних схем (ІС) на рівні пластини є процес руйнування цих структур за допомогою зворотнього проектування (RE). Це може бути використано, для проведення перевірки, аналізу відказів, дослідження та розробки внутрішніх структур цих пристроїв. Процес (RE) складаеться з трьох основних етапів: - декапсуляція, що означає відновлення внутрішніх компонентів мікросхем для дослідження матриць, об’єднань та інших функцій; - деструктивний пошаровий аналіз кристала, щоб побачити кожен шар металізації, пасивуючий шар, шар полікремнію та активний шар; - візуалізація, зазвичай реалізується за допомогою СЕМ, ПЕМ або SСM. Для проведення ряду зазначених операцій надвеликої інтегральної схеми, було визначено проблему контролю процесу травлення по причині поступових змін характеристик процесу. Досліджуються конкретні технічні труднощі, що виникають при досягненні послідовності травлення пластин, та документує низку методів оцінки та моніторингу, показана актуальність визначеної задачі та шляхи її вирішення.
dc.description.abstractotherThe purpose of this work is to develop and study methods for sequential use of methods for controlling the process of digestion of ultra-large integrated circuits using electron microscopy. The results of experimental research-calculations are demonstrated. One of the important points in the production and research of integrated circuits (ICs) at the plate level is the process of destruction of these structures by reverse engineering (RE). It can be used to test, analyze failures, research and develop the internal structures of these devices. The process (RE) consists of three main stages: - decapsulation, which means the restoration of the internal components of the chips for the study of matrices, associations and other functions; - destructive layer analysis of the crystal to see each metallization layer, passivation layer, polysilicon layer and active layer; - visualization, usually implemented using SEM, TEM or SСM. To carry out a number of these operations of the ultra-large integrated circuit, the problem of control of the digestive process due to the gradual changes in the characteristics of the process was identified. The specific technical difficulties that arise when achieving the sequence of etching of the plates are investigated, and a number of methods of evaluation and monitoring are documented, the relevance of the defined task and ways of its solution are shown.
dc.format.extent85 с.
dc.identifier.citationСухобок, М. О. Методи контролю процесу травлення технологічних шарів надвеликих інтегральних схем : магістерська дис. : 171 Електроніка / Сухобок Максим Олегович. – Київ, 2021. – 85 с.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/65185
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.subjectскануючий електронний мікроскоп
dc.subjectтрансмісійний електронний мікроскоп
dc.subjectплазмохімічне травлення
dc.subjectІМС-інтегральна мікросхема
dc.subjectхімічно-механічне полірування
dc.subjectscanning electron microscope
dc.subjecttransmission electron microscope
dc.subjectplasma-chemical etching
dc.subjectIC-integrated circuit
dc.subjectchemical-mechanical polishing
dc.subject.udc621.37
dc.titleМетоди контролю процесу травлення технологічних шарів надвеликих інтегральних схем
dc.typeMaster Thesis

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 2 з 2
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
2021_magistr_EDS_Sukhobok_Maksym_Travlennya_tekhn_shariv.pdf
Розмір:
1.68 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
2021_magistr_EDS_Sukhobok_Maksym_Travlennya_tekhn_shariv-Publik-1.pdf
Розмір:
416.3 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: