Технологія отримання розвинутої поверхні у вакуумному реакційному середовищі

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСидоренко, С. Б.
dc.contributor.authorБевза, О. М.
dc.contributor.authorСидоренко, Я. С.
dc.date.accessioned2021-01-11T13:12:58Z
dc.date.available2021-01-11T13:12:58Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractenThe methods for producing of developed surfaces in the reaction environment are presented. The developed surfaces are produced by using a thermionic deposition and magnetron sputtering. The results of these surfaces research are discussed.uk
dc.description.abstractruПредставлено методи формирования развитой поверхности в реакционной среде с помощью термоионного осаждения и магнетронного распыления, обсуждено результаты исследований этих поверхностей на база конденсату Al-O.uk
dc.description.abstractukПредставлено методи формування розвинутих поверхні в реакційному середовищі за допомогою термоіонного осадження та магнетронного розпилення, обговорено результати досліджень цих поверхонь на базі конденсату Al-O.uk
dc.format.pagerangeС. 247–249uk
dc.identifier.citationСидоренко, С. Б. Технологія отримання розвинутої поверхні у вакуумному реакційному середовищі / Сидоренко С. Б., Бевза О. М., Сидоренко Я. С. // Міжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції, 20-26 березня 2017 р., м. Київ, Україна / КПІ ім. Ігоря Сікорського, РТФ. – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2017. – С. 247–249. – Бібліогр.: 2 назви.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/38606
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceМіжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції, 20-26 березня 2017 р., м. Київ, Українаuk
dc.subjectрозвинута поверхняuk
dc.subjectтермоіонне осадженняuk
dc.subjectмагнетронне розпиленняuk
dc.subjectреакційний газuk
dc.subjectdeveloped surfaceuk
dc.subjectthermionic depositionuk
dc.subjectmagnetron sputteringuk
dc.subjectreactionary gasuk
dc.subjectразвитая поверхностьuk
dc.subjectтермоионное осаждениеuk
dc.subjectмагнетронное распылениеuk
dc.subjectреакционный газuk
dc.titleТехнологія отримання розвинутої поверхні у вакуумному реакційному середовищіuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
RTPSAS_2017_s7_t07.pdf
Розмір:
462.25 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Секція 7. Мікроелектронна техніка. Функціональна та наноелектроніка