Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДіденко, Ю. В.
dc.contributor.authorМолчанов, В. І.
dc.contributor.authorПашков, В. М.
dc.contributor.authorТатарчук, Д. Д.
dc.contributor.authorФранчук, А. С.
dc.contributor.authorDidenko, Yu. V.
dc.contributor.authorMolchanov, V. I.
dc.contributor.authorPashkov, V. M.
dc.contributor.authorTatarchuk, D. D.
dc.contributor.authorFranchuk, A. S.
dc.contributor.authorДиденко, Ю. В.
dc.contributor.authorМолчанов, В. И.
dc.contributor.authorПашков, В. М.
dc.contributor.authorТатарчук, Д. Д.
dc.contributor.authorФранчук, А. С.
dc.date.accessioned2014-12-22T12:51:43Z
dc.date.available2014-12-22T12:51:43Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractenThe p-i-n diodes as multilayer electromagnetic systems are considered. It is shown that in such systems may experience electromagnetic E-type resonance. Using this approach, analytical expressions for the evaluation of the temperature dependence of the parameters of such devices are obtained. The temperature properties of resonant systems on the base of Si and GaAs p-i-n diodes, namely the dependence of resonant frequency and unloaded Q-factor from temperature at millimeter wavelengths are experimentally studied. The expediency of the use of p-i-n diodes as controlled resonant structures in the UHF range is shown.uk
dc.description.abstractruРассмотрены p-i-n диоды как многослойные электродинамические системы. Показано, что в таких системах возможно возникновение электромагнитного резонанса E-типа. На основе данного подхода получены аналитические выражения для оценки температурных зависимостей параметров таких приборов. Экспериментально исследованы температурные свойства резонансных систем на основе p-i-n диодов, изготовленных из кремния и арсенида галлия, а именно зависимость резонансной частоты и собственной добротности от температуры в миллиметровом диапазоне длин волн. Показана целесообразность использования p-i-n диодов как управляемых резонансных структур в сверхвысокочастотном диапазоне.uk
dc.description.abstractukРозглянуто p-i-n діоди як багатошарові електродинамічні системи. Показано, що в таких системах можливе виникнення електромагнітного резонансу E-типу. На основі цього підходу отримано аналітичні вирази для оцінювання температурних залежностей параметрів таких приладів. Експериментально досліджено температурні властивості резонансних систем на основі p-i-n діодів, виготовлених із кремнію та арсеніду галію, а саме залежність резонансної частоти і власної добротності від температури в міліметровому діапазоні довжин хвиль. Показано доцільність використання p-i-n діодів як керованих резонансних структур у надвисокочастотному діапазоні.uk
dc.format.pagerangeС. 9-12uk
dc.identifier.citationТемпературні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням / Ю. В. Діденко, В. І. Молчанов, В. М. Пашков, Д. Д. Татарчук, А. С. Франчук // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 5(76). – С. 9–12. – Библиогр.: 5 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/9941
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ "КПИ"uk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.source.nameElectronics and Communications: научно-технический журналuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectp-i-n діодuk
dc.subjectрезонанс E-типуuk
dc.subjectнапівпровідниковий резонатор з електронним керуваннямuk
dc.subjectвласна добротністьuk
dc.subjectтемпературний коефіцієнтuk
dc.subjectp-i-n diodeen
dc.subjectE-type resonanceen
dc.subjectsemiconductor resonator with electronic controlen
dc.subjectunloaded Q-factoren
dc.subjecttemperature coefficienten
dc.subjectp-i-n диодru
dc.subjectрезонанс E-типаru
dc.subjectполупроводниковый резонатор с электронным управлениемru
dc.subjectсобственная добротностьru
dc.subjectтемпературный коэффициентru
dc.subject.udc621.372.41uk
dc.titleТемпературні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуваннямuk
dc.title.alternativeThe temperature properties of semiconductor resonant structures with electronic controluk
dc.title.alternativeТемпературные свойства полупроводниковых резонансных структур с электронным управлениемuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
3.pdf
Розмір:
242.02 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Electronics and Communications: научно-технический журнал, № 5(76)