Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням

Вантажиться...
Ескіз

Дата

2013

Автори

Діденко, Ю. В.
Молчанов, В. І.
Пашков, В. М.
Татарчук, Д. Д.
Франчук, А. С.
Didenko, Yu. V.
Molchanov, V. I.
Pashkov, V. M.
Tatarchuk, D. D.
Franchuk, A. S.

Науковий керівник

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

НТУУ "КПИ"

Анотація

Опис

Ключові слова

p-i-n діод, резонанс E-типу, напівпровідниковий резонатор з електронним керуванням, власна добротність, температурний коефіцієнт, p-i-n diode, E-type resonance, semiconductor resonator with electronic control, unloaded Q-factor, temperature coefficient, p-i-n диод, резонанс E-типа, полупроводниковый резонатор с электронным управлением, собственная добротность, температурный коэффициент

Бібліографічний опис

Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням / Ю. В. Діденко, В. І. Молчанов, В. М. Пашков, Д. Д. Татарчук, А. С. Франчук // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 5(76). – С. 9–12. – Библиогр.: 5 назв.

DOI