Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням
Вантажиться...
Файли
Дата
2013
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУУ "КПИ"
Анотація
Опис
Ключові слова
p-i-n діод, резонанс E-типу, напівпровідниковий резонатор з електронним керуванням, власна добротність, температурний коефіцієнт, p-i-n diode, E-type resonance, semiconductor resonator with electronic control, unloaded Q-factor, temperature coefficient, p-i-n диод, резонанс E-типа, полупроводниковый резонатор с электронным управлением, собственная добротность, температурный коэффициент
Бібліографічний опис
Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням / Ю. В. Діденко, В. І. Молчанов, В. М. Пашков, Д. Д. Татарчук, А. С. Франчук // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 5(76). – С. 9–12. – Библиогр.: 5 назв.