Измерение параметров p-i-n диодов в волноводно-щелевой линии на частотах миллиметрового диапазона длин волн

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorХохановская, Ю. А.
dc.contributor.authorОмельяненко, М. Ю.
dc.date.accessioned2019-12-12T14:42:28Z
dc.date.available2019-12-12T14:42:28Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractenIntroduction. It is known, that it is desirable to measure the parameters of semiconductor elements in the transmission lines, in which they are supposed to be installed. The existing methods of measuring them need for calibration procedure, connected with finding the reference plane – a laborious procedure in some cases is generally not feasible with necessary accuracy. In particular, this applies to the requirements in the fin-line which is convenient electrodynamic medium for realization of hybrid-integrated circuits (GIS) in the millimeter wave region. In this paper we propose a technique for measuring the parameters of diodes that does not require calibration. The proposed method makes it possible to find the complex conductivity of mixing, detector and p-i-n diodes (latter being open and closed) with reasonable accuracy. Description of measurement procedure. The measurement set-up contains a microwave generator, directional coupler for the reflected wave, a section of measuring fin-line with the diode to be tested and standard waveguide short. As a result of theoretical analysis it was shown, that in the case of insignificant losses in measuring section the procedure for finding the diode parameters can be reduced to measurements of distances between the positions of short, at which the maximum and minimum of reflected wave are observed. Discussion. This section contains the estimation of errors inherent to the proposed method. It was shown, that with the real losses in measuring section the errors in the determining of the diode parameters do not exceed 20% that can be considered acceptable for the development of circuits containing these diodes. As an argument, the fact, that proposed method does not require procedure for establishing the reference plane, inherent to standard methods of measuring impedance, and being the source of the main measurement errors, is put forward. Conclusion. The proposed technique allows us to quickly estimate the parameters of the diode. In this case the measurements are made in the electrodynamic system of GIS developed with these diodes that gives adequate results for its development. The measurement errors are not more than 20% and can be reduced by reducing the losses in the measuring section.uk
dc.description.abstractruВ работе предложена методика, позволяющая с достаточной точностью измерить параметры p-i-n диодов в открытом и закрытом состояниях. Метод не требует установки референсной плоскости и позволяет провести измерения непосредственно в электродинамической системе проектируемой гибридно-интегральной схемы (ГИС). Предложенная методика применима также для детекторных и смесительных диодов и даёт возможность с приемлемой точностью и быстротой найти характеристики, адекватные условия их работы в составе разрабатываемых устройств.uk
dc.description.abstractukВступ. Загально вiдомо, що розробка iнтегральної схеми, яка мiстить напiвпровiдниковi елементи, вимагає вимiру параметрiв цих елементiв у хвилевiдному середовищi, що використовується. Iснуючi методи вимiрювання потребують процедури калiбрування, що зумовлено пошуком опорної площини – трудомiсткого процесу, який у деяких випадках взагалi неможливо виконати з необхiдною точнiстю. Зокрема, це стосується вимiрювань у хвилевiдно-щiлинної лiнiї, яка є зручним електродинамiчним середовищем для реалiзацiї гiбридних iнтегральних схем (ГIС) в дiапазонi мiлiметрових хвиль. У цiй роботi пропонується методика для вимiрювання параметрiв дiодiв, що не потребує калiбрування. Запропонований метод дозволяє знайти комплексну електропровiднiсть змiшувальних детекторiв та p-i-n дiодiв (останнi у вiдкритому та закритому станах) з достатньою точнiстю. Опис процедури вимiрювання. Схема вимiрювань мiстить генератор СВЧ, спрямований вiдгалужувач, коротку вимiрювальну секцiю хвилеводно-щiлинної лiнiї з встановленим дiодом i рухомий короткозамикач в прямокутному хвилеводi. У результатi теоретичного аналiзу було показано, що у випадку незначних втрат у вимiрювальнiй секцiї процедура пошуку параметрiв дiода може бути зведена до вимiрювання вiдстаней до поршня в положеннях, коли спостерiгається максимум i мiнiмум вiдбиття хвилi. Обговорення результатiв. В цьому роздiлi приводиться оцiнка помилок, властивих запропонованiй методицi. Показано, що при реальних втратах у вимiрювальнiй секцiї помилки при визначеннi параметрiв дiода не перевищують 20%, що можна вважати прийнятними для розробки схем, якi мiстять цi дiоди. Окрiм того, приймаємо до уваги i той факт, що запропонований спосiб не вимагає процедури встановлення опорної площини, притаманної стандартним методам вимiрювання iмпедансу, що є джерелом основних помилок вимiрювань. Висновок. Таким чином, в роботi була запропонована проста i ефективна з точки зору використання методика вимiрювання основних параметрiв p-i-n дiода безпосередньо в електродинамiчнiй системi ГIС. Похибки вимiрювання не перевищують 20% i можуть бути зменшенi шляхом зменшення втрат у вимiрювальнiй секцiї.uk
dc.format.pagerangeС. 5–8uk
dc.identifier.citationХохановская, Ю. А. Измерение параметров p-i-n диодов в волноводно-щелевой линии на частотах миллиметрового диапазона длин волн / Ю. А. Хохановская, М. Ю. Омельяненко // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2018. – Вип. 75. – С. 5–8. – Бібліогр.: 5 назв.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/RADAP.2018.75.5-8
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/30360
dc.language.isoruuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceВісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, Вип. 75uk
dc.subjectp-i-n diodeuk
dc.subjectparameters of the p-i-n diodeuk
dc.subjectfin-lineuk
dc.subjecthybrid-integrated circuitsuk
dc.subjectp-i-n дiодuk
dc.subjectпараметри p-i-n дiодiвuk
dc.subjectхвилевiдно-щiлинна лiнiяuk
dc.subjectгiбридно-iнтегральнi схемиuk
dc.subjectp-i-n диодuk
dc.subjectпараметры p-i-n диодовuk
dc.subjectволноводно-щелевая линияuk
dc.subjectгибридно-интегральные схемыuk
dc.subject.udc621.372.543.2uk
dc.titleИзмерение параметров p-i-n диодов в волноводно-щелевой линии на частотах миллиметрового диапазона длин волнuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
VKPIRR2018_75_1Khokhanovska.pdf
Розмір:
371.9 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць, Вип. 75