Сенсор на основі фотодіоду з InSb для середнього ІЧ діапазону

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorІващук, Анатолій Васильович
dc.contributor.authorБезручко, Марко Валерійович
dc.date.accessioned2021-01-18T09:46:44Z
dc.date.available2021-01-18T09:46:44Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractenThe object of the study was a photosensitive element based on InSb formed with the implantation of beryllium ions. The subject of the work is the creation of a sensor based on a photosensitive element made of InSb, which operates at a temperature of 77K. The purpose of this work is to create a sensor based on a photosensitive element made of InSb, which operates at a temperature of 77K and study its characteristics. The first information-analytical section of the work contains general information about infrared radiation. It also briefly provides information on the principles of cooling photodiodes and the scope. The second section contains information about the main processes of the technological route. The third section improves the process of manufacturing a photodiode The fourth section includes a startup project based on research. Description and technological audit of the idea, market analysis, development of market strategy and marketing program of the startup project.uk
dc.description.abstractukОб’єктом дослідження став фоточутливий елемент на основі InSb утворений з імплантацією іонів берилію. Предмет роботи – створення сенсору на основі фоточутливого елементу з InSb, який працює при температурі 77К. Метою даної роботи є створення сенсору на основі фоточутливого елементу з InSb, який працює при температурі 77К та дослідження його характеристик. Перший інформаційно-аналітичний розділ роботи містить загальну інформацію про інфрачервоне випромінювання. Також в ньому коротко надана інформація про принципи охолодження фотодіодів та сфери використання. У другому розділі викладено інформацію про основні процеси технологічного маршруту. У третьому розділі удосконалюється процес виготовлення фотодіоду Четвертий розділ включає в себе стартап-проект на основі проведених досліджень. Опис та технологічний аудит ідеї, аналіз ринку, розробка ринкової стратегії та маркетингової програми стартап-проекту.uk
dc.format.page84 с.uk
dc.identifier.citationБезручко, М. В. Сенсор на основі фотодіоду з InSb для середнього ІЧ діапазону : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Безручко Марко Валерійович. – Київ, 2020. – 84 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/38751
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectфотодіодuk
dc.subjectантимонід індіюuk
dc.subjectіонна імплантаціяuk
dc.subjectфоточутливий елементuk
dc.subjectанодне окисненняuk
dc.subjectпасивація поверхніuk
dc.subjectInSbuk
dc.subjectsurface passivationuk
dc.subjectphotodiodeuk
dc.subjectindium antimonideuk
dc.subjection implantationuk
dc.subjectphotosensitive elementuk
dc.subjectanode oxidationuk
dc.titleСенсор на основі фотодіоду з InSb для середнього ІЧ діапазонуuk
dc.typeMaster Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Bezruchko_magistr.pdf
Розмір:
3.1 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Магістерські роботи (МЕ)
Магістерські роботи