Моделювання електричних і теплових характеристик InGaAs транзистора типу Nanowire FET
Вантажиться...
Дата
2019-05
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Опис
Ключові слова
InGaAs, Gate-all-around, Nanowire, MOSFET
Бібліографічний опис
Мушаровський, О. О. Моделювання електричних і теплових характеристик InGaAs транзистора типу Nanowire FET : магістерська дис. : 105 Прикладна фізика та наноматеріали / Мушаровський Олександр Олександрович. – Київ, 2019. – 80 с.