Усиливающая 3Т ячейка eDRAM памяти с улучшенными параметрами чтения и удержания данных

eDRAM, удержание данных, усиливающая 3Т ячейка, увеличенный запас хранения, мощность утечки, нанотехнология, logic compatible eDRAM, data retention, 3T gain cell, enhanced read margin, static power, nanotechnology

Бібліографічний опис

Варшни, Т. Усиливающая 3Т ячейка eDRAM памяти с улучшенными параметрами чтения и удержания данных / Т. Варшни, С. Кханделвал, С. Акеше // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2016. – Т. 59, № 3 (645). – C. 18–29. – Библиогр.: 12 назв.