Розроблення стенду для комплексного вимірювання параметрів фотодіодів для оптоелектронної системи пірометра

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorВоронько, Андрій Олександрович
dc.contributor.authorНовіков, Денис Олександрович
dc.date.accessioned2022-07-21T08:34:57Z
dc.date.available2022-07-21T08:34:57Z
dc.date.issued2022
dc.description.abstractenThe object of research is the development of a test stand for measuring the parameters of photodiodes for pyrometer’s optoelectronic system. The subject of the work is the measurement of the parameters of silicon planar photodiodes with a p-n junction for use in the pyrometer’s optoelectronic system. The objective of the work is a creation of a stand for measuring dark current, frequency response and fast measurement of spectral characteristics. The first section presents the theoretical basis of the dependence of parameters and characteristics of photodiodes with p-n junction on the intensity and wavelength of incident radiation, physical parameters of junction, direction of incidence of radiation and the influence of factors influencing the spectral response. The second section considers an emissivity-corrected pyrometer construction, optimal conditions for measuring radiation coefficients E and reflection R, the causes of the effect of temperature overcompensation. The third section deals with the optoelectronic circuit of the measuring test stand and developed measuring units, the measurement results are analyzed.uk
dc.description.abstractukОб’єктом дослідження є розроблення стенду для вимірювання параметрів фотодіодів для оптоелектронної системи пірометра. Предмет роботи – вимірювання параметрів кремнієвих фотодіодів із p-n переходом. Мета роботи – створення стенду для вимірювання параметрів фотодіодів. В першому розділі подаються теоретичні основи залежності параметрів та характеристик фотодіодів з p-n переходом від інтенсивності та довжини хвилі падаючого випромінювання, фізичних параметрів переходу, напрямку падіння випромінювання та впливу факторів, що впливають на спектральну характеристику. В другому розділі розглядається пірометр з компенсацією випромінювання, оптимальні умови вимірювання коефіцієнтів випромінювання E та відбиття R, причини ефекту надкомпенсації температури. В третьому розділі описується оптоелектронна схема вимірювального стенду та розроблені вимірювальні блоки, аналізуються результати вимірювань.uk
dc.format.page86 с.uk
dc.identifier.citationНовіков, Д. О. Розроблення стенду для комплексного вимірювання параметрів фотодіодів для оптоелектронної системи пірометра : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Новіков Денис Олександрович. – Київ, 2022. – 86 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/49168
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectметод газофазної епітаксії з металоорганічних сполукuk
dc.subjectпірометрія з компенсацією випромінюванняuk
dc.subjectкремнієвий фотодіодuk
dc.subjectтемпературна залежність параметрівuk
dc.subjectmetalorganic chemical vapour depositionuk
dc.subjectemissivity-compensated pyrometryuk
dc.subjectsilicon photodiodeuk
dc.subjecttemperature dependence of parametersuk
dc.titleРозроблення стенду для комплексного вимірювання параметрів фотодіодів для оптоелектронної системи пірометраuk
dc.typeMaster Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Novikov_magistr.pdf
Розмір:
3.47 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Магістерські роботи (МЕ)
Магістерські роботи