Вплив комплексного легування на властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії.
Вантажиться...
Дата
2005
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Київський національний університет ім. Тараса Шевченка
Анотація
Опис
Ключові слова
рідинно-фазна епітаксія, епітаксійні шари GaAs, фотолюмінесценція, Liquid-phase epitaxy, GaAs epitaxial layers, photoluminescence
Бібліографічний опис
Вплив комплексного легування на властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії // В. В. Козаченко, С. І. Круковський, Ю. Є. Ніколаєнко [та ін.] // Вісник Київського університету імені Тараса Шевченка. Серія «Фізико-математичні науки». – КНУ ім. Тараса Шевченка. – 2005. – Вип. № 4. – С. 359-364.