Вплив комплексного легування на властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії.
Вантажиться...
Дата
2005
Автори
Козаченко, В. В.
Круковський, С. І.
Ніколаєнко, Ю. Є.
Савкіна, Р. К.
Смірнов, О. Б.
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Київський національний університет ім. Тараса Шевченка
Анотація
Опис
Ключові слова
рідинно-фазна епітаксія, епітаксійні шари GaAs, фотолюмінесценція, Liquid-phase epitaxy, GaAs epitaxial layers, photoluminescence
Бібліографічний опис
Вплив комплексного легування на властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії // В. В. Козаченко, С. І. Круковський, Ю. Є. Ніколаєнко [та ін.] // Вісник Київського університету імені Тараса Шевченка. Серія «Фізико-математичні науки». – КНУ ім. Тараса Шевченка. – 2005. – Вип. № 4. – С. 359-364.