Вплив комплексного легування на властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії.

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКозаченко, В. В.
dc.contributor.authorКруковський, С. І.
dc.contributor.authorНіколаєнко, Ю. Є.
dc.contributor.authorСавкіна, Р. К.
dc.contributor.authorСмірнов, О. Б.
dc.date.accessioned2016-12-01T14:17:05Z
dc.date.available2016-12-01T14:17:05Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractenThe influence of complex doping gadolinium gallium melts, aluminum and silicon in photoluminescent and electrical properties of layers of GaAs, obtained by liquid-phase epitaxy.uk
dc.description.abstractruИсследуется влияние комплексного легирования расплавов галлия гадолинием, алюминием и кремнием на фотолюминесцентные и электрофизические свойства слоев GaAs, полученных методом жидкостно-фазной эпитаксии.uk
dc.description.abstractukДосліджується вплив комплексного легування розплавів галію гадолінієм, алюмінієм та кремнієм на фотолюмінісцентні та електрофізичні властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії.uk
dc.format.pagerangeС. 359-364.uk
dc.identifier.citationВплив комплексного легування на властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії // В. В. Козаченко, С. І. Круковський, Ю. Є. Ніколаєнко [та ін.] // Вісник Київського університету імені Тараса Шевченка. Серія «Фізико-математичні науки». – КНУ ім. Тараса Шевченка. – 2005. – Вип. № 4. – С. 359-364.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/18197
dc.language.isoukuk
dc.publisherКиївський національний університет ім. Тараса Шевченкаuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.source.nameВісник Київського університету імені Тараса Шевченка. Серія «Фізико-математичні науки»uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectрідинно-фазна епітаксіяuk
dc.subjectепітаксійні шари GaAsuk
dc.subjectфотолюмінесценціяuk
dc.subjectLiquid-phase epitaxyuk
dc.subjectGaAs epitaxial layersuk
dc.subjectphotoluminescenceuk
dc.subject.udc621.315.592uk
dc.titleВплив комплексного легування на властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії.uk
dc.title.alternativeThe impact of doping on properties of complex layers of GaAs, obtained by liquid-phase epitaxy.uk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
КНУ_2005_4_359-364.pdf
Розмір:
1.9 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Статті (АЕ)