Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью c применением мемристоров 45-нм технологии
Вантажиться...
Дата
2018
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПИ им. Игоря Сикорского
Анотація
Опис
Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018050035
Ключові слова
напряжение шума, RSNM, WSNM, коэффициент ячейки, коэффициент нагрузки, мемристор, ячейка 7T SRAM
Бібліографічний опис
Сингх, Ш. Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью c применением мемристоров 45-нм технологии / Ш. Сингх, В. Мишра // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2018. – Т. 61, № 5 (671). – C. 267–274. – Библиогр.: 13 назв.