Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью c применением мемристоров 45-нм технологии
Вантажиться...
Дата
2018
Автори
Сингх, Ш.
Мишра, В.
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПИ им. Игоря Сикорского
Анотація
Опис
Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018050035
Ключові слова
напряжение шума, RSNM, WSNM, коэффициент ячейки, коэффициент нагрузки, мемристор, ячейка 7T SRAM
Бібліографічний опис
Сингх, Ш. Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью c применением мемристоров 45-нм технологии / Ш. Сингх, В. Мишра // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2018. – Т. 61, № 5 (671). – C. 267–274. – Библиогр.: 13 назв.