Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью c применением мемристоров 45-нм технологии

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСингх, Ш.
dc.contributor.authorМишра, В.
dc.date.accessioned2018-08-28T10:28:05Z
dc.date.available2018-08-28T10:28:05Z
dc.date.issued2018
dc.descriptionПолный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018050035uk
dc.description.abstractruТехнология сверхбольших интегральных схем VLSI (very large scale integrated) завоевала популярность благодаря возможности значительного изменения и адаптации. Развитие данных платформ идет по пути уменьшения размеров элементов. Но происходит не только уменьшение размеров, но и революция в конструировании, когда все схемы переключаются с уровня единичных элементов к уровню других появляющихся устройств. В этой борьбе мемристоры более способны закрепится в области VLSI по сравнению с другими новыми устройствами. В данной работе представлено изучение статического запаса помехоустойчивости, подчеркивается новая проблема точности, поскольку шум оказывает большое влияние на напряжение удержания ячейки SRAM и это влияние в мемристорной ячейке меньше, чем для традиционной ячейки 7T SRAM. Результаты имитационного моделирования представлены для ячейки 7T SRAM и мемристорной 7T SRAM ячейки технологии 45 нм. В данной работе обсуждается и сравнивается влияние коэффициентов ячейки и нагрузки.uk
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при поддержке ITM University (Gwalior) в сотрудничестве с Cadence Design System (Bangalore).uk
dc.format.pagerangeС. 267-274uk
dc.identifier.citationСингх, Ш. Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью c применением мемристоров 45-нм технологии / Ш. Сингх, В. Мишра // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2018. – Т. 61, № 5 (671). – C. 267–274. – Библиогр.: 13 назв.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/S0021347018050035
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/24353
dc.language.isoruuk
dc.publisherКПИ им. Игоря Сикорскогоuk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.sourceИзвестия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2018, Т. 61, № 5 (671)uk
dc.subjectнапряжение шумаuk
dc.subjectRSNMuk
dc.subjectWSNMuk
dc.subjectкоэффициент ячейкиuk
dc.subjectкоэффициент нагрузкиuk
dc.subjectмемристорuk
dc.subjectячейка 7T SRAMuk
dc.subject.udc621.382uk
dc.titleУсовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью c применением мемристоров 45-нм технологииuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2018-05-267.pdf
Розмір:
63.89 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Первая страница, библиогр.
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, Т. 61, № 5 (671)