Метод електронної мікроскопії для дослідження підповерхневих структур мікросхем типу 3D NAND

dc.contributor.advisorВерцанова, Олена Вікторівна
dc.contributor.authorМельник, Анастасія Богданівна
dc.date.accessioned2024-06-27T09:23:00Z
dc.date.available2024-06-27T09:23:00Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractДетальний аналіз принципів роботи 3D NAND пам'яті, її геометрії, архітектури та масштабування, рівня поверхні, надійності та управління помилками дозволяє визначити фундаментальні особливості цієї технології. Розгляд архітектурних особливостей та можливих помилок в NAND Flash-пам'яті розширює наше розуміння функціональності цього типу пам'яті. Висвітлено важливість електронної мікроскопії як методу дослідження підповерхневих структур мікросхем типу 3D NAND. Проведено аналіз пристрою SNDM, CEM аналізу та трансмісійної електронної мікроскопії. Розглянуто принципи зображень та 3D реконструкції, а також визначено відмінності між скануючою трансмісійною електронною мікроскопією та іншими методами. Дослідження використовується для вдосконалення процесів виробництва та забезпечення якості мікросхем, а також для розробки нових технологій у сфері електроніки та комп'ютерних систем. Результати дослідження мають практичне значення для індустрії та можуть бути використані для вдосконалення якості та надійності електронних пристроїв на основі мікросхем типу 3D NAND.
dc.description.abstractotherA thorough examination of the operating principles of 3D NAND memory, including its geometry, architecture, scaling, surface level, reliability, and error management, allows for the identification of fundamental features of this technology. The exploration of architectural specifics and potential errors in NAND Flash memory enhances our understanding of the functionality of this type of memory. The significance of electron microscopy as a method for investigating subsurface structures of 3D NAND-type microchips is highlighted. An analysis of Scanning Near-Field Optical Microscopy (SNDM), CEM analysis, and Transmission Electron Microscopy (TEM) is conducted. The principles of imaging and 3D reconstruction, as well as distinctions between Scanning Transmission Electron Microscopy (STEM) and other methods, are discussed. This research contributes to the improvement of manufacturing processes and ensures the quality of microchips. Additionally, it aids in the development of new technologies in the fields of electronics and computer systems. The practical implications of the research results for the industry include enhancing the quality and reliability of electronic devices based on 3D NAND microchips.
dc.format.extent87 с.
dc.identifier.citationМельник, А. Б. Метод електронної мікроскопії для дослідження підповерхневих структур мікросхем типу 3D NAND : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Мельник Анастасія Богданівна. – Київ, 2023. – 87 с.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/67538
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.subject3D NAND
dc.subjectелектронна мікроскопія
dc.subjectпідповерхневі структури
dc.subjectметоди дослідження електронних мікросхем
dc.subjectмікросхеми
dc.subjectнанотехнології
dc.subjectнаноархітектура
dc.subjectelectron microscopy
dc.subjectsubsurface structures
dc.subjectmethods of electronic microchip investigation
dc.subjectmicrochips
dc.subjectnanotechnologies
dc.subjectnanoarchitecture
dc.titleМетод електронної мікроскопії для дослідження підповерхневих структур мікросхем типу 3D NAND
dc.typeMaster Thesis

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
Melnyk_magistr.pdf
Розмір:
2.94 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: