Імпедансна спектроскопія ниткоподібних кристалів Si в області переходу металдіелектрик

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДружинін, А. О.
dc.contributor.authorОстровський, І. П.
dc.contributor.authorХоверко, Ю. М.
dc.contributor.authorКорецький, Р. М.
dc.date.accessioned2020-12-03T17:43:50Z
dc.date.available2020-12-03T17:43:50Z
dc.date.issued2013
dc.format.pagerangeС. 190-191uk
dc.identifier.citationІмпедансна спектроскопія ниткоподібних кристалів Si в області переходу металдіелектрик / Дружинін А. О., Островський І. П., Ховерко Ю. М., Корецький Р. М. // Міжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції, 11-15 березня 2013 р., м. Київ / НТУУ «КПІ», РТФ. – Київ : НТУУ «КПІ», 2013. – С. 190-191. – Бібліогр.: 1 назва.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/37853
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceМіжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції, 11-15 березня 2013 р., м. Київ, Українаuk
dc.titleІмпедансна спектроскопія ниткоподібних кристалів Si в області переходу металдіелектрикuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
RTPSAS_2013_s7_p190.pdf
Розмір:
527.7 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Секція 7. Мікроелектронна техніка. Функціональна та наноелектроніка