Оценка потерь MOSFET транзисторов в ключевых ультразвуковых генераторах

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМовчанюк, А. В.
dc.contributor.authorВистизенко, Е. В.
dc.date.accessioned2021-02-04T13:25:50Z
dc.date.available2021-02-04T13:25:50Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractenAnalyzed the basic value for calculating the loss of switch stages in MOSFET transistors. Considered MOSFET transistor parameters affecting the dynamic losses. The methodology of calculation of losses in the MOSFET transistor when operating in switch mode. Shows an example of the calculation.uk
dc.description.abstractruПроанализированы основные соотношения для расчета потерь в ключевых транзисторных каскадах на MOSFET транзисторах. Рассмотрены параметры MOSFET транзистора влияющие на динамические потери. Приведена методика расчета потерь в MOSFET транзисторах при работе в ключевом режиме.uk
dc.description.abstractukПроаналізовані основні співвідношення для розрахунку втрат в ключових транзисторних каскадах на MOSFET транзисторах. Розглянуті параметри MOSFET транзистора що впливають на динамічні втрати. Приведена методика розрахунку втрат в MOSFET транзисторах при роботі в ключовому режимі.uk
dc.format.pagerangeС. 60–62uk
dc.identifier.citationМовчанюк, А. В. Оценка потерь MOSFET транзисторов в ключевых ультразвуковых генераторах / Мовчанюк А. В., Вистизенко Е. В. // Міжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції 16–22 березня 2015 р., м. Київ, Україна / КПІ ім. Ігоря Сікорського, РТФ. – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2015. – С. 60–62. – Бібліогр.: 1 назва.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/39141
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceМіжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції, 16–22 березня 2015 р., м. Київ, Українаuk
dc.subjectMOSFETuk
dc.subjectключовий режимuk
dc.subjectстатичні втратиuk
dc.subjectдинамічні втратиuk
dc.subjectMOSFETuk
dc.subjecta switch modeuk
dc.subjectstatic lossesuk
dc.subjectdynamic lossesuk
dc.subjectMOSFETuk
dc.subjectключевой режимuk
dc.subjectстатические потериuk
dc.subjectдинамические потериuk
dc.titleОценка потерь MOSFET транзисторов в ключевых ультразвуковых генераторахuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
RTPSAS_2015_s2_t03.pdf
Розмір:
394.27 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Секція 2. Проектування, технологія та експлуатація радіоелектронної техніки. Ультразвукова техніка