Моделювання польових структур сенсорів газу на основі оксиду галію

dc.contributor.advisorТимофєєв, Володимир Іванович
dc.contributor.authorХалус, Майя Сергіївна
dc.date.accessioned2024-09-19T09:18:07Z
dc.date.available2024-09-19T09:18:07Z
dc.date.issued2024
dc.description.abstractОб’єктом дослідження роботи є хімічний сенсор газу на польових транзисторах на основі оксиду галію. Метою даної роботи є математичне моделювання характеристик хімічного сенсора газу на польових транзисторах на основі оксиду галію. Завданням дослідження є: - аналіз сучасних досягнень у галузі сенсорів на основі оксиду галію. - розробка аналітичної моделі сенсору газу на польовій структурі на основі оксиду галію. - комп'ютерне моделювання та аналіз отриманих результатів. У першому розділі наведено огляд літератури. Розглядається принцип роботи хімічних сенсорів газу. Розглянуто властивості, структура та синтез напівпровідникового матеріалу оксид галію, класифікацію сенсорів газу на основі оксиду галію. Наведено конструкцію польових транзисторів на основі оксид галію, зокрема для MESFET. У другому розділі наведено запропоновану аналітичну модель для моделювання характеристик сенсору газу на польовому транзисторі на основі оксиду галію. Аналітична модель побудована на основі польового транзистора (MESFET), яка враховує зміну заряду на поверхні хімічного сенсору газу на основі оксид галію. У третьому розділі наведено результати моделювання, отримані за допомогою програми у середовищі МАТЛАБ. Проаналізовано залежності вольт-амперної характеристики транзистора на основі оксиду галію та характеристики сенсору газу від різних параметрів структури.
dc.description.abstractotherThe object of research is a chemical gas sensor on field-effect transistors based on gallium oxide. The purpose of this work is mathematical modeling of the characteristics of a chemical gas sensor on field-effect transistors based on gallium oxide. The task of the research is: - analysis of modern achievements in the field of sensors based on gallium oxide. - development of an analytical model that will describe the operation of a gas sensor with a field structure based on gallium oxide. - computer modeling and analysis of the obtained results. In the first chapter, a literature review was conducted. The principle of operation of chemical gas sensors is considered. The properties, structure and synthesis of the semiconductor material gallium oxide, classification of gas sensors based on gallium oxide are also considered. The design of field-effect transistors based on gallium oxide, in particular for MESFETs, is presented. In the second chapter, an analytical model was developed to simulate the characteristics of a gas sensor on a field-effect transistor based on gallium oxide. An analytical model based on MESFET was obtained, which takes into account the charge change on the surface of a chemical gas sensor based on gallium oxide. In the third section, the simulation results obtained using a program developed in the MATLAB environment were presented. The dependences of the current-voltage characteristics of the transistor based on gallium oxide and the characteristics of the gas sensor on various parameters were analyzed.
dc.format.extent62 с.
dc.identifier.citationХалус, М. С. Моделювання польових структур сенсорів газу на основі оксиду галію : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Халус Майя Сергіївна. – Київ, 2024. – 62 с.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/69062
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.subjectсенсори газу
dc.subjectнапівпровідникові структури
dc.subjectоксид галію
dc.subjectаналітична модель
dc.subjectпольові транзистори
dc.titleМоделювання польових структур сенсорів газу на основі оксиду галію
dc.typeBachelor Thesis

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
Khalus_bakalavr.pdf
Розмір:
3.14 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: