Смарт сенсор газу на основі діода Шотткі

dc.contributor.advisorЗаворотний, Віктор Федорович
dc.contributor.authorШкапа, Антон Сергійович
dc.date.accessioned2023-03-01T08:24:21Z
dc.date.available2023-03-01T08:24:21Z
dc.date.issued2022
dc.description.abstractenThe subject of the work is the study of electrophysical parameters of Schottky diodes with contact, review of theoretical principles of Schottky barrier formation at the metal-semiconductor contact and methods of gas detection by such structures. The aim of the work is to develop a relatively cheap, smart gas sensor that can be used to detect a particular gas, depending on the selected sensing element. Such a sensor is able to transmit, wirelessly, measurement information for further analysis on the receiver side. The first section presents the basics of the description of metal-semiconductor contacts, methods of forming the Schottky barrier with different modifications of the selected materials and methods of current flow through such contacts. The second section describes the basic principles of formation of Schottky diode structures and their circuitry use in conjunction with bipolar transistors to remove parasitic charge. Also described is the step-by-step formation of a Schottky diode on a planar transistor to form a structure with a Schottky "clamp". In the third section, the basic principles of gas detection by structures based on Schottky diode are discussed and examples of such structures are considered. In the fourth section, the principle of operation of a smart gas sensor based on a Schottky diode, a circuit diagram and a printed circuit board for the finished device were developed. In the fifth section, the basic principles of startup project development were considered and a specific analysis was carried out based on the manufactured device and methods of its promotion on the market.uk
dc.description.abstractukПредмет роботи – дослідження електрофізичних параметрів діодів Шотткі із контактом, огляд теоретичних засад формування бар’єру Шотткі на контакті метал-напівпровідник та способів детектування газів такими структурами. Мета роботи – розробка відносно дешевого, розумного сенсору газу, який може бути використаний для детектування того чи іншого газу, в залежності від обраного чутливого елемента. Такий сенсор має змогу передавати, бездротово, інформацію про вимірювання, для подальшого її аналізу на стороні приймача. В першому розділі подаються основи описання контактів типу метал-напівпровідник, методики формування бар’єру Шотткі за різних модифікацій обраних матеріалів та методи струмопроходження через такі контакти. В другому розділі описано основні засади формування структур діодів Шотткі та їх схемотехнічне використання в парі з біполярними транзисторами для зняття паразитного заряду. Також описано покрокове формування діоду Шотткі на планарному транзисторі для утворення структури із «затискачем» Шотткі. В третьому розділі розібрано основні принципи детектування газів, структурами на основі діоду Шотткі та розглянуто приклади таких структур. В четвертому розділі було розроблено принцип роботи смарт сенсора газу на основі діода Шотткі, принципову електричну схему та друковану плату для готового пристрою. В п’ятому розділі було розглянуто основні принципи розробки стартап-проекті та проведено конкретний аналіз на основі виробленого приладу та методів його просування на ринку.uk
dc.format.page80 с.uk
dc.identifier.citationШкапа, А. С. Смарт сенсор газу на основі діода Шотткі : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Шкапа Антон Сергійович. – Київ, 2022. – 80 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/53190
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.titleСмарт сенсор газу на основі діода Шотткіuk
dc.typeMaster Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
Shkapa_magistr.pdf
Розмір:
3.67 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.1 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: