Мікроелектронні технології. Розрахунок параметрів іонного розпилення та іонної імплантації в програмі TRIM. Рекомендації до виконання розрахункової роботи

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКузьмичєв, Анатолій Іванович
dc.contributor.authorСидоренко, Сергій Борисович
dc.date.accessioned2026-07-27T12:30:48Z
dc.date.available2026-07-27T12:30:48Z
dc.date.issued2026
dc.description.abstractУ навчальному посібнику наведено стислі теоретичні дані щодо фізики іонного розпилення та імплантації поверхонь мішені прискореними іонами. В розрахунково-графічній частині посібника наведено приклад обчислень параметрів іонного розпилення та іонної імплантацій шляхом траєкторного аналізу руху іонів в тілі мішені. Студентам пропонується зробити власні розрахунки та аналітичні висновки щодо отриманих результатів. Посібник призначений для здобувачів ступеня бакалавр за спеціальністю G5 Електроніка, електронні комунікації, приладобудування та радіотехніка, які вивчають іонне розпилення матеріалів та іонну імплантацію з дисциплін «Мікроелектронні технології», «Технологічні основи електроніки», а також буде корисним фахівцям в галузі модифікації поверхонь та приповерхневих шарів.
dc.description.abstractotherThis textbook provides a concise overview of the theory behind ion sputtering and the implantation of target surfaces by accelerated ions. The computational and graphical section of the handbook presents an example of calculating the parameters of ion sputtering and ion implantation through trajectory analysis of ion motion within the target. Students are encouraged to carry out their own calculations and draw analytical conclusions regarding the results obtained. The handbook is intended for undergraduates studying for a Bachelor’s degree in the G5 specialisation ‘Electronics, Electronic Communications, Instrumentation and Radio Engineering’, who are studying ion sputtering of materials and ion implantation as part of the modules ‘Microelectronic Technologies’ and ‘Technological Foundations of Electronics’, and will also be useful to specialists in the field of surface and near-surface layer modification.
dc.format.extent112 с.
dc.identifier.citationМікроелектронні технології. Розрахунок параметрів іонного розпилення та іонної імплантації в програмі TRIM [Електронний ресурс] : рек. до виконання розрахунк. роботи : навч. посіб. для здобувачів ступеня бакалавра за освіт. програмою «Електронні прилади та пристрої» спец. G5 Електроніка, електронні комунікації, приладобудування та радіотехніка / КПІ ім. Ігоря Сікорського ; уклад.: А. І. Кузьмичєв, С. Б. Сидоренко. – Електрон. текст. дані (1 файл: 2,98 Мбайт). – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2026. – 112 с. – Назва з екрана.
dc.identifier.orcid0000-0003-0087-275X
dc.identifier.orcid0000-0002-3109-2011
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/82273
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.subject.udc539.1
dc.titleМікроелектронні технології. Розрахунок параметрів іонного розпилення та іонної імплантації в програмі TRIM. Рекомендації до виконання розрахункової роботи
dc.typeLearning Object

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
RHR_Mikroelektronni_tekhnolohii.pdf
Розмір:
2.98 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Навчально-методичні матеріали (ЕПС)