Температурні та частотні властивості п’єзоелектричних кристалів германо- і силікосіленітів

dc.contributor.advisorПоплавко, Юрій Михайлович
dc.contributor.authorНемирович, Олександра Андріївна
dc.date.accessioned2020-01-10T12:45:48Z
dc.date.available2020-01-10T12:45:48Z
dc.date.issued2019-12
dc.description.abstractenThe work presented on 86 pages consists of 5 parts, 24 figures, 29 tables and 75 sources in the list of references. Actuality of theme. Now microelectronic devices of ultrahigh frequencies (microwave oven) define to a large extent technical and cost efficiency of systems of a radio communication, radar-location and radio navigation. Electrooptical also drinks piezoelectric properties of crystals of a class of the sillenitis is a basis for production of optoelectronic devices, devices of record and storage of information, spatially temporary modulators of light that does researches of these properties certainly relevant. Single crystals with a structure of the type of sillenite, the generalized form of which can be represented in the form of Bi12MxO20 belong to the spatial group 123.The crystals of Bi12MxO20 have a unique variety of physical properties-electro-optical and piezoelectric effects, significant photoconductivity in the visible and near range, wide transparency, optical activity and photorefraction of the combination of which allows to use them in devices for optical processing and storage of information, holographic and real-time interferometry, piezoelectric engineering, acoustoelectronics, acousto-optics and for solving other applied problems. Intensive researches are conducted in recent years and development of new warehouses of dielectrics with big dielectric permeability allowed to create and introduce in the microwave oven equipment a number of the microwave ovens highly effective solid-state frequency-selective devices on dielectric resonators. Piezoelectric materials are used in the composition of various electronic devices used for domestic and industrial applications, such as ultrasonic piezoelectric transducers, sensors, actuators, transformers and resonators. Therefore, the improvement of the characteristics of devices using sillenite, is largely due to the receipt and study of both new single crystals with the structure of the type of sillenite, and the purposeful change of the properties of the already studied crystals due to doping. The purpose and objectives of the study. The purpose of this study is to investigate the study of ε and tgδ selenites both below and above the frequency of piezoresonances. To achieve this, you must do the following tasks: 1. To analyze the dielectric characteristics of high-speed microwave sillenites. 2. Investigation of frequency and temperature dependences of ε and tgδ single crystals of Bi12GeO20, Bi12SiO20 and Bi12TiO20 at 9.6 GHz. 3. Investigation of the temperature dependences of dielectric losses of single crystals Bi12TiO20, Bi12SiO20 and Bi12GeO20 at the frequency of 9.7GHz and 20GHz. Object of study: Germanic and silicosilenites. Subject of work: study of high-frequency dielectric characteristics of silenites by the method of dielectric resonator. Methods of scientific research: by the method of dielectric resonator - on samples of cylindrical shape with basic TE01δ type of oscillations in standard rectangular waveguides. Practical significance of the results obtained: As shown by our studies, selenites are promising for microwave applications of dielectrics, on the basis of which an electrically controlled dielectric resonator can be developed.uk
dc.description.abstractukДипломна робота налічує 86 сторінок, 5 розділи, 24 ілюстрації, 29 таблиці та 75 джерел за переліком посилань. Актуальність теми. В даний час мікроелектронні пристрої надвисоких частот (НВЧ) визначають у великій мірі технічну та економічну ефективність систем радіозв'язку, радіолокації і радіонавігації. Електрооптичні і п'єзоелектричні властивості кристалів класу сілленіта є основою для виготовлення оптоелектронних приладів, пристроїв запису і зберігання інформації, просторово тимчасових модуляторів світла, що робить дослідження цих властивостей безумовно актуальними. Монокристали зі структурою типу сілленіта, узагальнену форму яких можна представити у вигляді Bi12MxO20 відносяться до просторової групи 123.Кристали Bi12MxO20 володіють унікальную різноманітністю фізичних властивостей-електрооптичних і п'єзоелектричним ефектами, значною фотопроводимостью у видимій та ближній ІЧ-областях спектра, високими показниками заломлення, широкої областю прозорості, оптичною активністю і фоторефракціей поєднанння яких дозволяє використовувати їх в пристроях оптичної обробки та зберігання інформації, голографічної інтерферометрії в реальному часі, П'єзотехніка, акустоелектроніці, акустооптиці і для вирішення інших прикладних задач. Проведені протягом останніх років інтенсивні дослідження і розробка нових складів діелектриків з великою діелектричною проникністю дозволили створити і впровадити в техніку НВЧ цілий ряд високоефективних твердотільних частотно -виборчих пристроїв НВЧ на діелектричних резонаторах. П'єзоелектричні матеріали використовують при у складі різноманітних електронних пристроїв, що використовуються для побутового та промислового застосування, такі як ультразвукові п'єзоелектричні перетворювачі, датчики, пускачі, трансформатори та резонатори. Тому поліпшення характеристик пристроїв, що використовують сілленіта, в значній мірі пов'язано з отриманням і дослідженням як нових монокристалів зі структурою типу сілленіта, так і з цілеспрямованою зміною властивостей вже вивчених кристалів за рахунок легування. Мета і задачі дослідження. Метою даної робити є дослідження дослідження ε и tgδ сіленітів як нижче, так и вище частот п’єзорезонансів. Для досягнення мети, необхідно виконати наступні задачі: 1. Провести аналіз діелектричних характеристик сiлленiтiв високодобротних НВЧ. 2. Дослідження частотних та температурних залежностей ε и tgδ монокристалів Bi12GeO20,Bi12SiO20 та Bi12ТіO20 на частоті 9.6 ГГц. 3. Дослідження температурних залежності діелектричних втрат монокристалів Bi12ТіO20, Bi12SiO20 та Bi12GeO20 на частоті 9.7ГГц та 20ГГц. Об'єкт дослідження: германо-і сілікосіленіти. Предмет работи: дослідження надвисокочастотнх діелектричних характеристики сіленітів методом діелектричного резонатора . Методика наукового дослідження : методом діелектричного резонатора – на зразках циліндричної форми з основним ТЕ01δ типом коливань у стандартних прямокутних хвилеводах. Практичне значення одержаних результатів: Як показують наші дослідження, сіленіти являють собою перспективні для НВЧ застосувань діелектрики, на основі яких може бути розроблено електрично керований діелектричний резонатор.uk
dc.format.page91 с.uk
dc.identifier.citationНемирович, О. А. Температурні та частотні властивості п’єзоелектричних кристалів германо- і силікосіленітів : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Немирович Олександра Андріївна. – Київ, 2019. – 91 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/30694
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectп’єзоелектричні кристалиuk
dc.subjectмонокристалиuk
dc.subjectдіелектричний резонаторuk
dc.subjectсiлленiтиuk
dc.subjectНВЧuk
dc.titleТемпературні та частотні властивості п’єзоелектричних кристалів германо- і силікосіленітівuk
dc.typeMaster Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
Nemyrovych_magistr.pdf
Розмір:
2.36 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.86 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: