Проблемы интеграции структур гетероелектроники с кремниевыми ИС.

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorОсинский, В. И.
dc.contributor.authorОлексенко, П. Ф.
dc.contributor.authorПалагин, А. В.
dc.contributor.authorЗубарев, В. В.
dc.contributor.authorЛуговский, В. В.
dc.date.accessioned2016-11-04T07:59:44Z
dc.date.available2016-11-04T07:59:44Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractenThe problems of integration of traditional silicon structures with heterostructures based on solid solutions of A3B5 and A2B6. The results of the authors long-standing researchs by the application of gas-phase, molecular-beam and mixed epitaxy from gas source. The effect of the operations of formation of heterostructures on the parameters of the original structures of silicon substrate. Selective epitaxy is described - in the windows of the silicon dioxide mask and overgrowth through holes in the silicon substrate. It is noted that the quality of the layers of gallium arsenide on silicon grown by selective epitaxy, superior quality of the layers grown on silicon.uk
dc.description.abstractruРассмотрены вопросы интеграции традиционных кремниевых структур с гетеро структурами на основе твердых растворов А3В5 и А2В6. Представлены результаты многолетних исследований авторов по применению газофазной, молекулярно-лучевой и комбинированной эпитаксии из газового источника. Показано влияние операций формирования гетероструктур на параметры кремниевых структур исходной подложки. Описана селективная эпитаксия - в окнах маски двуокиси кремния и заращиванием сквозных отверстий в кремниевой подложке. Отмечается, что качество слоев арсенида галлия на кремнии, выращенных методом селективной эпитаксии, превосходит качество слоев, выращенных на кремнии.uk
dc.description.abstractukРозглянуто питання інтеграції традиційних кремнієвих структур з гетероструктурами на основі твердих розчинів А3В5 і А2В6. Представлено результати багаторічних досліджень авторів із застосування газофазної, молекулярно-променевої та комбінованої епітаксії з газового джерела. Показано вплив операцій формування гетероструктур на параметри кремнієвих структур вихідної підкладки. Описана селективна епітаксії - у вікнах маски двоокису кремнію і зарощування наскрізних отворів в кремнієвій підкладці. Відзначається, що якість шарів арсеніду галію на кремнії, вирощених методом селективної епітаксії, перевершує якість шарів, вирощених на кремнії.uk
dc.format.pagerangeC. 3 - 17.uk
dc.identifier.citationОсинский, В. И. Проблемы интеграции структур гетероелектроники с кремниевыми ИС / В. И.Осинский, П. Ф. Олексенко, А. В. Палагин, В. В. Зубарев, В. В. Луговский [ та ін.]// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 1999. - № 1. - C. 3 - 17.uk
dc.identifier.issn0130-6243
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/17995
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський государственный политехнический университет.uk
dc.publisher.placeОдессаuk
dc.source.nameТехнология и конструирование в электронной аппаратуре. - 1999. - № 1.uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectарсенид галлияuk
dc.subjectгетероструктураuk
dc.subjectкремниевая структураuk
dc.subjectинтеграция структурuk
dc.subjectэпитаксияuk
dc.subjectподложкаuk
dc.subject.udc537.33+621.3uk
dc.titleПроблемы интеграции структур гетероелектроники с кремниевыми ИС.uk
dc.title.alternativeProblems of integration geteroelektroniki structures with silicon IC.uk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
ТКЭА1999_1.pdf
Розмір:
384.11 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Статті (АЕ)