Датчик режима насыщения выходного n-p-n-транзистора
Вантажиться...
Файли
Дата
2013
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУУ "КПИ"
Анотація
Опис
Ключові слова
интегральные схемы, модель транзистора, датчик насыщения, критические параметра, неидеальность переходов, інтегральні схеми, модель транзистора, критичні параметри, неідеальність переходів, Integrated Circuits, transistor model, saturation sensor, barrier non-ideality
Бібліографічний опис
Мережаный П. Г. Датчик режима насыщения выходного n-p-n-транзистора / П. Г. Мережаный, Л. Н. Павлов // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 3(74). – С. 9–13. – Библиогр.: 3 назв.