Вхідні імпедансні характеристики мікросмужкових структур

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorНазарько, А. І.
dc.contributor.authorВодолазька, М. В.
dc.contributor.authorБіденко, П. С.
dc.contributor.authorНелін, Є. А.
dc.contributor.authorNazarko, A. I.
dc.contributor.authorVodolazka, M. V.
dc.contributor.authorBidenko, P. S.
dc.contributor.authorNelin, E. A.
dc.contributor.authorНазарько, А. И.
dc.contributor.authorВодолазская, М. В.
dc.contributor.authorБиденко, П. С.
dc.contributor.authorНелин, Е. А.
dc.date.accessioned2016-03-23T16:41:36Z
dc.date.available2016-03-23T16:41:36Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractenIntroduction. Electromagnetic crystals (EC) and EC-inhomogeneities are one of the main directions of microstrip devices development. In the article the input impedance characteristics of EC- and traditional microstrip inhomogeneities and filter based on EC-inhomogeneities are investigated. Transmission coefficient characteristics. Transmission coefficient characteristics of low impedance EC- and traditional inhomogeneities are considered. Characteristics are calculated in the software package Microwave Studio. It is shown that the efficiency of EC-inhomogeneity is much higher. Input impedance characteristics of low impedance inhomogeneities. Dependences of input impedance active and reactive parts of EC- and traditional inhomogeneities are given. Dependences of the active part illustrate significant low impedance transformation of nominal impedance. The conditions of impedance matching of structure and input medium are set. Input impedance characteristics of high impedance inhomogeneities. Input impedance characteristics of high impedance EC- and traditional inhomogeneities are considered. It was shown that the band of transformation by high impedance inhomogeneities is much narrower than one by low impedance inhomogeneities. Characteristics of the reflection coefficient of inhomogeneities are presented. Input impedance characteristics of narrowband filter. The structure of narrowband filter based on the scheme of Fabry-Perot resonator is presented. The structure of the filter is fulfilled by high impedance EC-inhomogeneities as a reflectors. Experimental and theoretical amplitude-frequency characteristics of the filter are presented. Input impedance characteristics of the filter are shown. Conclusions. Input impedance characteristics of the structure allow to analyse its wave properties, especially resonant. EC-inhomogeneity compared with traditional microstrip provide substantially more significant transformation of the the input impedance.uk
dc.description.abstractruВ статье исследованы входные импедансные характеристики электромагнитнокристаллических (ЭК) и традиционных микрополосковых неоднородностей, а также фильтра на основе ЭК-неоднородностей. Приведены характеристики коэффициента прохождения низкоимпедасних ЭК- и традиционной неоднородностей. Показано, что ЭК-неоднородности по сравнению с традиционными микрополосковыми обеспечивают существенно более значительную трансформацию активной составляющей входного импеданса. Анализ входных импедансных характеристик фильтра позволяет определить условия согласования, необходимые для минимизации коэффициента стоячей волны.uk
dc.description.abstractukВ статті дослідженно вхідні імпедансні характеристики електромагнітнокристалічних (ЕК) та традиційних мікросмужкових неоднорідностей, а також фільтра на основі ЕК-неоднорідностей. Приведено характеристики коефіцієнта проходження низькоімпедасних ЕК- та традиційної неоднорідностей. Показано, що ЕК-неоднорідності у порівнянні з традиційними мікросмужковими забезпечують суттєво більш значну трансформацію активної складової вхідного імпедансу. Аналіз вхідних імпедансних характеристик фільтра дозволяє визначити умови узгодження, необхідні для мінімізації коефіцієнта стоячої хвилі.uk
dc.format.pagerangeC. 72-81uk
dc.identifier.citationВхідні імпедансні характеристики мікросмужкових структур / Назарько А. І., Водолазька М. В., Біденко П. С., Нелін Є. А. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2015. – Вип. 61. – С. 72–81. – Бібліогр.: 10 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/15215
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceВісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць, Вип. 61uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectвхідний імпедансuk
dc.subjectелектромагнітнокристалічна неоднорідністьuk
dc.subjectвузькосмуговий фільтрuk
dc.subjectinput impedanceuk
dc.subjectelectromagnetocrystalline inhomogeneityuk
dc.subjectnarrowband filteruk
dc.subjectвходной импедансuk
dc.subjectэлектромагнитнокристаллическая неоднородностьuk
dc.subjectузкополосный фильтрuk
dc.subject.udc621.372.54uk
dc.titleВхідні імпедансні характеристики мікросмужкових структурuk
dc.title.alternativeInput impedance characteristics of microstrip structuresuk
dc.title.alternativeВходные импедансные характеристики микрополосковых структурuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
9.pdf
Розмір:
585 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, Вип. 61