Параметри поверхневої самодифузії в Ti, визначені моделюванням методом молекулярної динаміки

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorКонорев, Сергій Ігорович
dc.contributor.authorГривнак, Артем Олександрович
dc.date.accessioned2019-01-18T13:46:44Z
dc.date.available2019-01-18T13:46:44Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractenThe object of the research is the diffusion processes in the Ti model at temperatures of 300 K, 500 K, 700 К, 900 К and 1100 К. The purpose of the work is to determine the equilibrium parameters of lattice Ti, the energy of formation and the equilibrium concentration of vacancies, simulation and true diffusion coefficients. Methods of research – the method of molecular dynamics (MD). 90 models (5 temperatures with defect and without defect, with 3 different initial conditions, with stress and without) were created and simulated of MD method using the MEAM potential and the LAMMPS software. Temperature dependence of the vacancies formation energy and the vacancies equilibrium concentration, simulation and true diffusion coefficients and their stress dependence on surface layers Ti were determined by results of MD simulations. Conclusions about vacancy formation energies and equilibrium concentration at a temperature 300 K, 500 K, 700 K, 900 K, 1100 K was revealed. Parameters of surface self-diffusion for 3 surface of Ti monocrystal were determined for temperatures 300 K, 500 K, 700 K, 900 K, 1100 K.uk
dc.description.abstractukОб’єкт дослідження – дифузійні процеси в моделі Ti при температурах 300 К, 500 К, 700 К, 900 К та 1100 К. Мета роботи – шляхом моделювання визначити залежність параметрів поверхневої самодифузії Ti від температури та напружень. Методи дослідження – метод молекулярної динаміки (МД). Було створено 90 моделей (5 температур, з дефектом та без дефекту, з 3 різними початковими умовами, з напруженнями та без) і проведено моделювання методом МД з використанням MEAM потенціалу за допомогою програмного забезпечення LAMMPS. Використовуючи результати моделювання було визначено, енергію формування вакансій та рівноважну концентрацію вакансій, коефіцієнти дифузії симуляції та істинні коефіцієнти дифузії за вакансійним механізмом, та їх залежності від напруження в поверхневих шарах Ti. Були зроблені висновки про залежність енергії формування вакансій та рівноважну концентрацію вакансій для температур 300 К, 500 К, 700 К, 900 К, 1100 К. Були визначенні параметри поверхневої самодифузії для 3 граней монокристалу Ti для температур 300 К, 500 К, 700 К, 900 К, 1100 К.uk
dc.format.page81 с.uk
dc.identifier.citationГривнак, А. О. Параметри поверхневої самодифузії в Ti, визначені моделюванням методом молекулярної динаміки : магістерська дис. : 132 Матеріалознавство / Гривнак Артем Олександрович. – Київ, 2018. – 81 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/25906
dc.language.isoukuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectdiffusionuk
dc.subjectmolecular dynamicsuk
dc.subjectvacancuk
dc.subjectmodelinguk
dc.subjectдифузіяuk
dc.subjectмоделюванняuk
dc.subjectмолекулярна динамікаuk
dc.subjectвакансіяuk
dc.titleПараметри поверхневої самодифузії в Ti, визначені моделюванням методом молекулярної динамікиuk
dc.typeMaster Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Hryvnak_magistr.pdf
Розмір:
1.32 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.8 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Магістерські роботи (ФМ ІФФ)
Магістерські роботи