Дослідження тонких плівок сегнетоелектриків на кремнієвій підкладці

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВоронов, Сергій Олександрович
dc.contributor.authorБогорош, Олександр Терентійович
dc.contributor.authorМуравов, С. О.
dc.contributor.authorГордійко, Наталія Олександрівна
dc.contributor.authorVoronov, S. A.
dc.contributor.authorBogorosh, A. T.
dc.contributor.authorMuravov, S. A.
dc.contributor.authorGordiiko, N. A.
dc.date.accessioned2016-06-02T15:47:58Z
dc.date.available2016-06-02T15:47:58Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractenThe basic material used in the ferroelectric transistors and capacitors to form the nonvolatile memory are mixed multimetal oxides are, in particular, – the family of Pb(ZrxTi₁₋x)O₃ (PZT). For the basis of PZT can be added alloying additions of various metals and their oxides, minor impurities which significantly affect the properties of PZT. Continue to search for materials with superior properties to create capacitors and transistors on the basis of ferromagnetic ferroelectrics. Purpose – to develop methods of forming and measuring electrical properties of ferroelectric films on the basis of complex oxides PbTiO₃, deposited on a silicon substrate as a recording media recording media for external memory devices. The technique of forming and measuring films PbTiO₃, applied to the wheels of the single crystal silicon Si (100). X-ray diffraction and electron microscopy studies have shown that these films are characterized by limited texture with a perovskite structure. The possibility of the use of the films as the recording media for non-volatile rewritable media.uk
dc.description.abstractruОсновным материалом, используемым в сегнетоэлектрических транзисторах и конденсаторах для формирования энергонезависимой памяти, являются смешанные полиметаллические оксиды, в частности, – семейство Pb(ZrxTi₁₋x)O₃ (PZT). К PZT могут добавляться легирующие добавки различных металлов и их оксидов, небольшие примеси которых существенно влияют на свойства PZT. Продолжаются поиски материалов с наилучшими свойствами для создания конденсаторов и транзисторов на базе ферромагнитных сегнетоэлектриков. Цель работы – разработка методики формирования и измерения электрофизических свойств сегнетопленок на основе сложных оксидов PbTiO₃, нанесенных на кремниевую подложку, в качестве регистрирующих сред носителей информации для внешних устройств памяти. Представлена методика формирования и измерения пленок PbTiO₃, нанесенных на диски из монокристаллического кремния Si (100). Рентгенографические и электронно-микроскопические исследования показали, что эти пленки характеризуются ограниченной текстурой со структурой перовскита. Показана возможность использования полученных пленок в качестве регистрирующих сред для энергонезависимых перезаписываемых носителей информации.uk
dc.description.abstractukОсновним матеріалом, що використовується у сегнетоелектричних транзисторах і конденсаторах для формування енергонезалежної пам’яті, є змішані поліметалічні оксиди, зокрема, – сімейство Pb(ZrxTi₁₋x)O₃ (PZT). До основи PZT можуть додаватися легуючі добавки різних металів та їх оксидів, невеликі домішки яких істотно впливають на властивості PZT. Тривають пошуки матеріалів з найкращими властивостями для створення конденсаторів і транзисторів на базі феромагнітних сегнетоелектриків. Мета роботи – розробка методики формування й вимірювання електрофізичних властивостей сегнетоплівок на основі складних оксидів PbTiO₃, нанесених на кремнієву підкладку, як реєструючих середовищ носіїв інформації для зовнішніх пристроїв пам’яті. Представлено методику формування та вимірювання плівок PbTiO₃, нанесених на диски з монокристалічного кремнію Si (100). Рентгенографічні й електронно-мікроскопічні дослідження показали, що ці плівки характеризуються обмеженою текстурою зі структурою перовськіту. Показана можливість використання отриманих плівок як реєструючих середовищ для енергонезалежних перезаписуваних носіїв інформації.uk
dc.format.pagerangeС. 84-92uk
dc.identifier.citationДослідження тонких плівок сегнетоелектриків на кремнієвій підкладці / Воронов С. О., Богорош О. Т., Муравов С. О., Гордійко Н. О. // Вісник НТУУ «КПІ». Приладобудування : збірник наукових праць. – 2015. – Вип. 50(2). – С. 84–92. – Бібліогр.: 11 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/16148
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.source.nameВісник НТУУ «КПІ». Приладобудування: збірник наукових працьuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectтонкі сегнетоелектричні плівкиuk
dc.subjectвольт-фарадні характеристикиuk
dc.subjectполіметалічні оксидиuk
dc.subjectferroelectric thin filmsuk
dc.subjectcapacitance-voltage characteristics of polymetallic oxidesuk
dc.subjectтонкие сегнетоэлектрические пленкиuk
dc.subjectвольт-фарадные характеристикиuk
dc.subjectполиметаллические оксидыuk
dc.subject.udc538.913;538.958uk
dc.titleДослідження тонких плівок сегнетоелектриків на кремнієвій підкладціuk
dc.title.alternativeThe study of thin films of ferroelectric material on a silicon substrateuk
dc.title.alternativeИсследование тонких пленок сегнетоэлектриков на кремниевой подложкеuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
14.pdf
Розмір:
379.85 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник НТУУ «КПІ». Приладобудування: збірник наукових праць, Вип. 50(2)