Вимірювання п’єзоелектричних характеристик діодних структур на векторному аналізаторі «Обзор-103»

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЦибульський, О. С.
dc.contributor.authorКлименко, В. А.
dc.contributor.authorСемікіна, Т. В.
dc.date.accessioned2023-03-30T09:38:02Z
dc.date.available2023-03-30T09:38:02Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractВ роботі наведено результати дослідження напівпровідникових плівкових гетеро структур CdS-Cu2S та CdS-ZnS-Cu2S методом резонансу-антирезонансу. Виміри амплітудно-частотних характеристик було виконано за допомогою векторного аналізатору «Обзор-103». Викладена методика дослідження з використанням векторного аналізатору «Обзор-103». На основі визначених значень частот резонансу та антирезонансу зроблено розрахунки добротності досліджених гетеро структур та величини ємностей. Найбільші значення добротностей (~62) отримано для гетеро структури CdS-ZnS-Cu2S. Проведено аналіз отриманих результатів.uk
dc.description.abstractotherThe results of the study of semiconductor film heterostructures CdS-Cu2S and CdS-ZnS-Cu2S by the resonance-antiresonance method are presented. The semiconductor heterostructures CdS-Cu2S and CdS-ZnS-Cu2S applied on a molybdenum basis were used as samples. The molybdenum base was used as the first current contact. A degenerate p-type Cu2S semiconductor was used as the second current contact. Piezoelectric devices include piezoelectric transducers, based on piezoelectric elements made of the material having a direct or reverse piezoelectric effect. The advantages and disadvantages of resonance antiresonance have been demonstrated. Measurements of the amplitude-frequency characteristics were performed using the vector analyzer "Obzor - 103". The methods of sample research and the procedure of measurements of complex reflection and transmission coefficients with the help of measuring complex "Obzor - 103" are presented. The scheme of measurement of the complex reflection coefficient S11 and the complex transmission coefficient S21 of the four-pole in the 50 Ohm path is presented. Appropriate definitions of complex display and transmission coefficients are given. Using the "Obzor - 103" vector analyzer, the complex reflection coefficients of the S11 samples were measured and the resonance bands from 883 to 1273 MHz were recorded. Based on the determined values of the resonance and anti-resonance frequencies, the figure of merit of the investigated heterostructures and capacitance values were calculated. The calculation was performed using additional data obtained from the study of the samples using the emitter meter "E7-20" under conditions close to the resonance. Comparison of the calculated values shows a significant difference in the behavior of the samples based on CdS and ZnS. Compared to the capacity and figure of merit for the piezoceramic elements presented in OST II 0444-78. The structures studied by us showed significantly lower values of quality and capacity. The much lower values of the figure of merit are explained by the fact that in our work we investigated thin-film structures rather than the volumetric piezo-ceramic elements, the values of which are given in OST II 0444-78. The highest Q-values (~ 62) were obtained for the CdS-ZnS-Cu2S heterostructure. For structures with CdS films, the Q-values is less than 27.94. The Q-value of 62.65 for the CdS-ZnS-Cu2S structure is quite large, even compared to the value for a well-known piezoceramic such as CTS-19, whose Q-value is 60 and which is a bulk material. Thus, studies conducted to evaluate the piezoelectric properties of heterostructures with CdS-Cu2S and CdS-ZnS-Cu2S semiconductor films demonstrate the presence of the piezoelectric properties of these structures and the prospects for their development The results obtained are new and show the prospect of research on semiconductor heterostructures for the development of new piezoelectric devices.uk
dc.format.pagerangeС. 5-9uk
dc.identifier.citationЦибульський, О. С. Вимірювання п’єзоелектричних характеристик діодних структур на векторному аналізаторі «Обзор-103» / Цибульський О. С., Клименко В. А., Семікіна Т. В. // Електронна та Акустична Інженерія : науково-технічний журнал. – 2020. – Т. 3, № 4. – С. 5-9. – Бібліогр.: 10 назв.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/2617-0965.2020.3.4.200045
dc.identifier.orcid0000-0002-4941-0057uk
dc.identifier.orcid0000-0002-6035-5511uk
dc.identifier.orcid0000-0002-6182-4703uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/54151
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.sourceЕлектронна та Акустична Інженерія : науково-технічний журнал, 2020, Т. 3, № 4
dc.subjectамплітудно-частотні характеристикиuk
dc.subjectнапівпровідникові плівкиuk
dc.subjectгетероструктуриuk
dc.subjectп’єзоелектричні властивостіuk
dc.subjectamplitude-frequency characteristicsuk
dc.subjectsemiconductor filmsuk
dc.subjectheterostructuresuk
dc.subjectpiezoelectric propertiesuk
dc.subject.udc53.082.73, 622.377.6, 666.655, 681.11.032.32, 681.586.35, 681.586.48uk
dc.titleВимірювання п’єзоелектричних характеристик діодних структур на векторному аналізаторі «Обзор-103»uk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
EAI2020_3-4_5-9.pdf
Розмір:
639.11 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.1 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Електронна та Акустична Інженерія: науково-технічний журнал, Т. 3, № 4