Покращення зворотних характеристик діода Шотткі з охоронним кільцем

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБогач, М. В.
dc.contributor.authorБежан, П. Л.
dc.contributor.authorЛитвиненко, В. М.
dc.contributor.authorСамойлов, М. О.
dc.contributor.authorШутов, С. В.
dc.contributor.authorBohach, N. V.
dc.contributor.authorBezhan, P. L.
dc.contributor.authorLytvynenko, V. N.
dc.contributor.authorSamoylov, M. O.
dc.contributor.authorShutov, S. V.
dc.contributor.authorБогач, М. В.
dc.contributor.authorБежан, П. Л.
dc.contributor.authorЛитвиненко, В. М.
dc.contributor.authorСамойлов, Н. А.
dc.contributor.authorШутов, С. В.
dc.date.accessioned2013-11-18T11:50:30Z
dc.date.available2013-11-18T11:50:30Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractenSchottky diodes are used in many fields of electronics as pulse rectifier diodes. Manufacturing Schottky diode with a guard ring allows to significantly improve the protection of the metalsemiconductor transition from a possible flashover. Existing methods of gettering structural defects and impurities in silicon typically do not fit into a particular technological path of manufacturing semiconductor devices and so are ineffective. In this connection it is appropriate to develop technological methods of gettering individual for each type of technological route of manufacturing a semiconductor device, taking into account its specific features. This work is devoted to the study of design and technological features of making Schottky diode with guard ring and on the basis of the analysis of optimizing its manufacturing technology aimed at improving the diodes’ yield. The developed technology makes it possible to significantly increase the breakdown voltage p-n transitions protective ring areas and significantly reduce reverse current Schottky diodes.uk
dc.description.abstractruДиоды Шоттки используются во многих областях электроники в качестве выпрямительных и импульсных диодов. Технология изготовления диода Шоттки с охранным кольцом позволяет существенно улучшить защиту перехода металл полупроводник от возможного поверхностного пробоя. Существующие способы геттерирования структурных дефектов и примесей в кремнии обычно не вписываются в тот или иной технологический маршрут изготовления полупроводникового прибора и поэтому является для него неэффективными. В связи с этим целесообразно разработка технологических приемов геттерирования индивидуальна для каждого типа технологического маршрута изготовления полупроводникового прибора с учетом его индивидуальных особенностей. Данная работа посвящена исследованию конструктивно-технологических особенностей изготовления диода Шоттки с охранным кольцом и на основе результатов анализа проведения оптимизации технологии его изготовления, направленной на повышение выхода годных диодов. Разработаная технологии позволяет существенно увеличить пробивные напряжения р-n переходов областей охранного кольца и значительно уменьшить уровень обратных токов диодов Шоттки.uk
dc.description.abstractukДіоди Шотткі використовуються в багатьох областях електроніки в якості випрямних та імпульсних діодів. Технологія виготовлення діода Шотткі з охоронним кільцем дає можливість суттєво поліпшити захист переходу метал-напівпровідник від можливого поверхневого пробою. Існуючі способи гетерування структурних дефектів і домішок в кремнії зазвичай не вписуються в той або інший технологічний маршрут виготовлення напівпровідникового приладу і тому є для нього неефективними. У зв'язку із цим доцільна розробка технологічних прийомів гетерування індивідуальна для кожного типу технологічного маршруту виготовлення напівпровідникового приладу з обліком його індивідуальних особливостей. Дана робота присвячена дослідженню конструктивно технологічних особливостей виготовлення діода Шотткі з охоронним кільцем й на основі результатів аналізу проведення оптимізації технології його виготовлення, направленої на підвищення виходу придатних діодів. Розроблена технології дає можливість суттєво збільшити пробивні напруги р-n переходів областей охоронного кільця та значно зменшити рівень зворотних струмів діодів Шотткі.uk
dc.format.pagerangeС. 9-13uk
dc.identifier.citationПокращення зворотних характеристик діода Шотткі з охоронним кільцем / М. В. Богач, П. Л. Бежан, В. М. Литвиненко [та ін.] // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 4(75). – С. 9–13. – Библиогр.: 4 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/5796
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ "КПИ"uk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.sourceElectronics and Communications: научно-технический журналru
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectгетеруванняuk
dc.subjectдіод Шотткіuk
dc.subjectоптимізаціяuk
dc.subjectохоронне кільцеuk
dc.subjectструктурні дефектиuk
dc.subjectдомішкиuk
dc.subjectgetteringen
dc.subjectdiode Schottkyen
dc.subjectoptimizationen
dc.subjectsafety ringen
dc.subjectstructural defectsen
dc.subjectimpuritiesen
dc.subjectгеттерированияru
dc.subjectдиод Шотткиru
dc.subjectоптимизацияru
dc.subjectохранное кольцоru
dc.subjectструктурные дефектыru
dc.subjectпримесиru
dc.subject.udc621.382.28uk
dc.titleПокращення зворотних характеристик діода Шотткі з охоронним кільцемuk
dc.title.alternativeImproving the return perfomance of Schottky diode with a security ringuk
dc.title.alternativeУлучшение обратных характеристик диода Шоттки с охранным кольцомuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
01_Бежан.pdf
Розмір:
246.78 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Electronics and Communications: научно-технический журнал, № 4(75)