Імпедансна спектроскопія ниткоподібних кристалів Sі в області переходу метал-діелектрик

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДружинін, А. О.
dc.contributor.authorОстровський, І. П.
dc.contributor.authorХоверко, Ю. М.
dc.contributor.authorКорецький, Р. М.
dc.contributor.authorDruzinin, A.
dc.contributor.authorOstrovskii, I.
dc.contributor.authorKhoverko, Yu.
dc.contributor.authorKoretskyy, R.
dc.contributor.authorДружинин, А. А.
dc.contributor.authorОстровский, И. П.
dc.contributor.authorХоверко, Ю. Н.
dc.contributor.authorКорецкий, Р. Н.
dc.date.accessioned2016-02-09T15:16:48Z
dc.date.available2016-02-09T15:16:48Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractenIntroduction. The paper deals with investigation of impedance spectroscopy of Si whiskers with doping concentration in the vicinity to metal-insulator transition in the region of low (4,2 – 70 K) temperature and frequency range 0,01 – 250 ×10 ³ Hz. Experimental results. The silicon whiskers were grown by chemical vapour deposition method in closed bromine system. The whiskers of 40 ×10 ¯⁶ m in diameter have boron concentration from 2×10 18 to 2×1019 сm ¯³. The impedance spectroscopy of Si whiskers was investigated with use of Lock-in amplifier in the region of low (4,2 – 70 K) temperature and frequency range 0,01 – 250 ×10 ³ Hz. The investigations showed that in the range of zone conductance (T= 30 – 70 K) the whisker impedance has inductive character, while at the range of impurity conductance (T = 4,2 – 20 K) impedance changes to capacity character. The reduction of impurity concentration at dielectric side of metal-insulator transition leads to decrease of the whisker capacity in the range of low temperatures. Discussion. An inductive character of whisker impedance is explained skin-effect of conductance in thin whisker, while capacity character of the whisker impedance is connected with hopping conductance on impurity band. Conclusions. Character of changes of Si whisker impedance conductance is discussed in the frame of hopping conductance on impurity band, which takes place at low temperatures.uk
dc.description.abstractruВ результате выполненных исследований электропроводности нитевидных кристаллов Si <B, Au> с диаметрами 40 ×10⁻⁶м, легированных примесью бора до концентраций вблизи перехода металл-изолятор (ρ300К =0,94 ÷ 1,68 ×10⁻⁴ Ом м) в температурном интервале 4,2÷70 К, частотном диапазоне 0,01 – 250 ×10 ³ Гц обнаружено, что импеданс образцов в зависимости от температуры имеет емкостный (4,2 – 20 К) и индуктивный (30-70 К) характер, величина которого зависит от концентрации легирующей примеси. Исходя из результатов исследований кристаллов методом импеданс-ной спектроскопии обсуждены отличия поведения импенданса образцов с различной концентрацией легирующей примеси.uk
dc.description.abstractukНа основі дослідження електропровідності ниткоподібних кристалів Si<B, Au> з діаметрами 40 ×10⁻⁶ м, легованих домішкою бору до концентрацій поблизу переходу метал-діелектрик (ρ300К = 0,94 ÷1,68 ×10⁻⁴ Ом•м) у температурному інтервалі 4,2 ÷70 К, частотному діапазоні 0,01 ÷250 ×10³ Гц виявлено, що імпеданс зразків в залежності від температури має ємнісний (4,2К – 20 К) та індуктивний (30 – 70 К) характер, величина якого залежить від концентрації легуючої домішки. На основі досліджень кристалів методом імпедансної спектроскопії обговорено відмінність поведінки імпендансу зразків з різною концентрацією легуючої домішки.uk
dc.format.pagerangeС. 97-106uk
dc.identifier.citationІмпедансна спектроскопія ниткоподібних кристалів Sі в області переходу метал-діелектрик / Дружинін А. О., Островський І. П., Ховерко Ю. М., Корецький Р. М. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2013. – № 55. – С. 97–106. – Бібліогр.: 11 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/14929
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ "КПІ"uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.source.nameВісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових працьuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectкремнійuk
dc.subjectниткоподібні кристалиuk
dc.subjectперехід метал-діелектрикuk
dc.subjectімпеданс-спектроскопіяuk
dc.subjectsiliconuk
dc.subjectwhiskersuk
dc.subjectmetal–insulator transitionsuk
dc.subjectimpedance spectroscopyuk
dc.subjectкремнийuk
dc.subjectнитевидные кристаллыuk
dc.subjectпереход металл-диэлектрикuk
dc.subjectимпеданс спектроскопияuk
dc.subject.udc621.315.592uk
dc.titleІмпедансна спектроскопія ниткоподібних кристалів Sі в області переходу метал-діелектрикuk
dc.title.alternativeImpedance spectroscopy of Si whiskers in the range of metal-insulator transitionuk
dc.title.alternativeИмпедансная спектроскопия нитевидных кристаллов Sі в области перехода металл-диэлектрикuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
12.pdf
Розмір:
521.89 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.65 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, № 55