Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов
Вантажиться...
Дата
2013
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУУ "КПИ"
Анотація
Опис
Ключові слова
нанотехнологии, мемристор, резистивные переключения, сложные оксиды, кислородные вакансии, нанотехнології, мемристор, резистивні перемикання, складні оксиди, кисневі вакансії, nanotechnology, memristor, resistive switching, complex oxides, oxygen vacancies
Бібліографічний опис
Белоголовский М. А. Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов / М. А. Белоголовский, С. Ю. Ларкин // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 2(73). – С. 9–15. – Библиогр.: 11 назв.