Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБелоголовский, М. А.
dc.contributor.authorЛаркин, С. Ю.
dc.contributor.authorБілоголовський, М. А.
dc.contributor.authorЛаркін, С. Ю.
dc.contributor.authorBelogolovskii, M. A.
dc.contributor.authorLarkin, S. Y.
dc.date.accessioned2013-09-09T09:58:59Z
dc.date.available2013-09-09T09:58:59Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractenIt is shown that the electromigration of oxygen ions caused by ac electric fields is the main origin of a two-valued current-voltage characteristic in contacts of a metallic electrode with a complex transition-metal oxide. The effect is proposed to apply for a significant enhancement of functionalities of a memristor, a novel basic element in nanoelectronics.uk
dc.description.abstractruПоказано, что электромиграция ионов кислорода под действием переменных электрических полей является основной причиной возникновения двузначной зависимости тока от напряжения в контактах металлического электрода со сложным оксидом переходных металлов. Этот эффект предлагается использовать для существенного расширения функциональных возможностей мемристора, нового базового элемента наноэлектроники.uk
dc.description.abstractukПоказано, що електроміграція іонів кисню під дією перемінних електричних полів є основною причиною виникнення двозначної залежності струму від напруги в контактах металевого електрода зі складним оксидом перехідних металів. Цей ефект пропонується використовувати для істотного розширення функціональних можливостей мемристора, нового базового елемента наноелектроніки.uk
dc.format.pagerangeС. 9-15uk
dc.identifier.citationБелоголовский М. А. Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов / М. А. Белоголовский, С. Ю. Ларкин // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 2(73). – С. 9–15. – Библиогр.: 11 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/3629
dc.language.isoruuk
dc.publisherНТУУ "КПИ"uk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.sourceElectronics and Communications : научно-технический журнал, № 2(73)ru
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectнанотехнологииru
dc.subjectмемристорru
dc.subjectрезистивные переключенияru
dc.subjectсложные оксидыru
dc.subjectкислородные вакансииru
dc.subjectнанотехнологіїuk
dc.subjectмемристорuk
dc.subjectрезистивні перемиканняuk
dc.subjectскладні оксидиuk
dc.subjectкисневі вакансіїuk
dc.subjectnanotechnologyuk
dc.subjectmemristoren
dc.subjectresistive switchingen
dc.subjectcomplex oxidesen
dc.subjectoxygen vacanciesen
dc.subject.udc621.382: 539.292uk
dc.titleНаноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металловuk
dc.title.alternativeНаноелектронні пристрої з пам'яттю на основі ефекту електроміграції кисневих вакансій у складних оксидах перехідних металівuk
dc.title.alternativeNanoelectronic devices with memory-effect of electromigration of oxygen vacancies in complex oxides of transition metalsuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Белоголовский_1.pdf
Розмір:
334.62 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Electronics and Communications : научно-технический журнал, № 2(73)