Розвиток НЕМТ

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДяченко, С.М.
dc.contributor.authorПавлюченкова, А.М.
dc.contributor.authorDyachenko, S.M.
dc.contributor.authorPavlyuchenkova, A.M.
dc.contributor.authorДяченко, С.М.
dc.contributor.authorПавлюченкова, А.М.
dc.date.accessioned2014-08-18T11:37:23Z
dc.date.available2014-08-18T11:37:23Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractenThis paper provides an overview of recent work and future directions High Electron Mobility Transistor development.uk
dc.description.abstractruВ статье приводится обзор последних работ и перспективные направления развития транзисторов с высокой подвижностью электронов.uk
dc.description.abstractukВ статті наводиться огляд останніх робіт і перспективні напрямки розвитку транзисторів з високою рухливістю електронів.uk
dc.format.pagerangeС. 166-170uk
dc.identifier.citationДяченко С.М. Розвиток НЕМТ / Дяченко С.М., Павлюченкова А.М. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2010. – № 42. – С. 166-170. – Бібліогр.: 15 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/8402
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ "КПІ"uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.source.nameВісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових працьuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectнітрид галіюuk
dc.subjectНЕМТuk
dc.subjectGallium Nitrideuk
dc.subjectнитрид галияuk
dc.subject.udc621.382.323uk
dc.titleРозвиток НЕМТuk
dc.title.alternativeDevelopment НЕМТuk
dc.title.alternativeРазвитие НЕМТuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
42_166Dyachenko.pdf
Розмір:
541.14 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, № 42