Розмірні ефекти у структурах на карбіді кремнію

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorГенкін, О. М.
dc.contributor.advisorГенкин, А. М.
dc.contributor.advisorGenkin, A. M.
dc.contributor.degreedepartmentзагальної фізики та фізики твердого тілаuk
dc.contributor.degreefacultyфізико-математичнийuk
dc.contributor.researchgrantorНаціональний технічний університет України "Київський політехнічний інститут"uk
dc.date.accessioned2016-05-20T11:21:35Z
dc.date.available2016-05-20T11:21:35Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractenConditions for creation of light emitting diodes working in electrical breakdown regime have been determined. The floatable technology have been used. Light emitting diodes obtained is possible to use as standards of power and spectral composition of radiation, and although for creation of sources of short light impulses. Constructions of these devices, laboratorial technology of their fabrication, elements of metrological support have been worked out. Emitters on SiC-basis operating in the electrical breakdown regime have the following superior characteristics: a wide spectrum which is similar to the blackbody spectrum at 6000-8000 K in the range of 250 - 700 nm;  extremely high temperature stability, so there is no need for thermostatting (the temperature coefficient of spectral density of the breakdown electroluminescence quantum yield is within the range of 0.01-0.1 % / K );  linear dependence of the emission power on the feed current, when the current is growing up by a factor of 104;  resistance to the density of the electric current up to10 6 A/cm 2;  subnanosecond quick operating;  great brightness of the emitting band ( up to 104 Kd/m2 );  ability to function under extreme high-temperature and high-radiation conditions;  long term chemical stability;  quantum radiation yield of the order of 10 - 6 photon/electron;  weak degradation;  rather small sizes. Due to high temperature stability heating of p-n-structures by the feed current hardly affects the emission quantum yield. It causes the instantaneous readiness of a device to operate and stipulates its pulse regime efficiency. It also allows to perform commutation and change of emission power by the feed current that seems to be the most convenient and the simplest.uk
dc.description.abstractruВ работе определены технологические, эксплуатационные и конструкционные условия, при которых на основе сплавной технологии изготовления p-n-переходов, на промышленных кристаллах карбида кремния можно получить светодиоды, работающие в режиме электрического пробоя, которые возможно использовать в качестве эталонов мощности и спектрального состава излучения на спектральный диапазон 250 – 700 нм, а также в качестве импульсных излучателей с субнаносекундным быстродействием. Разработаны конструкции этих приборов, лабораторная технология их изготовления, элементы метрологического обеспечения. Приборы на основе карбида кремния отличает: широкий спектр, подобный спектру абсолютно черного тела при температуре 6000- 8000 К в диапазоне 250-700 нм; уникально высокая температурная стабильность, исключающая необходимость термостатирования (температурный коэффициент спектральной плотности квантового выхода пробойной электролюминесценции не превышает 0,01-0,05 %/К); линейная зависимость интенсивности излучения от питающего тока; стойкость к токовым перегрузкам (плотность тока может достигать 106 А/см2;  субнаносекундное быстродействие;  относительно небольшие размеры и высокая яркость зоны излучения (до 104 кд/м2);  высокая стойкость к радиационному, химическому, термическому воздействию;  квантовый выход излучения порядка 10-5 фотона на электрон;  слабая деградация. Благодаря температурной стабильности нагрев структуры питающим током практически не влияет на квантовый выход излучения. Это обусловливает мгновенную готовность прибора к действию, эффективность импульсного режима работы, позволяет осуществлять коммутацию и изменение интенсивности излучения с помощью питающего тока, что есть максимально удобным и простым.uk
dc.description.abstractukВ роботі з’ясовані технологічні, експлуатаційні та конструкційні умови, за яких на основі сплавної технології виготовлення p-n-переходів, на промислових кристалах карбіду кремнію можливо отримати світлодіоди, що працюють у режимі електричного пробою, які можливо використовувати у якості еталонів потужності та спектрального складу випромінювання на спектральний діапазон 250700 нм, а також у якості імпульсних випромінювачів з субнаносекундною швидкодією. Розроблено конструкції цих приладів, лабораторна технологія їх виготовлення, елементи метрологічного забезпечення. Прилади на основі карбіду кремнію відрізняє: широкий спектр, подібний до спектра абсолютно чорного тіла при температурі 6000-8000 К у діапазоні 250-700 нм; унікально висока температурна стабільність, що виключає необхідність термостатування (температурний коефіцієнт спектральної густини квантового виходу пробійної електролюмінісценції не перевищує 0,01-0,05 %/К); лінійна залежність потужності випромінювання від живлячого струму; стійкість до струмових перевантажень (густина електричного струму може досягати 106 А/см2); субнаносекундна швидкодія; відносно малі розміри та велика яскравість зони випромінювання (до 104 кд/м2); висока стійкість до радіаційного, хімічного, термічного впливу; квантовий вихід випромінювання порядку 10-5фотона на електрон; слабка деградація. Завдяки температурній стабільності нагрів p-n-структури живлячим струмом практично не впливає на квантовий вихід випромінювання. Це обумовлює миттєву готовність приладу до дії, ефективність імпульсного режиму роботи, дозволяє здійснювати комутацію та зміну потужності випромінювання за допомогою живлячого струму, що є максимально зручним та простим.uk
dc.format.page4 с.uk
dc.identifier2503-ф
dc.identifier.govdoc0112U001630
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/15903
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ "КПІ"uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.titleРозмірні ефекти у структурах на карбіді кремніюuk
dc.title.alternativeРазмерные эффекты в структурах на карбиде кремния
dc.title.alternativeThe size effects in the structures based on silicon carbide
dc.typeTechnical Reportuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2503-ф.pdf
Розмір:
285.3 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Анотовані описи звітів про НДР (ЗФФТТ)
Анотовані описи завершених науково-дослідних робіт КПІ ім. Ігоря Сікорського