Неохолоджуваний фотовольтаїчний перетворювач ІЧ-діапазону на основі гетероструктури Si/CdHgTe

dc.contributor.advisorКоваль, Вікторія Михайлівна
dc.contributor.authorЛєдєньов, Дмитро Костянтинович
dc.date.accessioned2018-05-21T08:50:34Z
dc.date.available2018-05-21T08:50:34Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractenThe work presented on 95 pages consists of 5 parts, 29 figures, 25 tables and 49 sources in the list of references. IR uncooled photovoltaic converter based on CdHgTe/Si heterostructure were the object of the study. The subject of the work is research of the spectral and optical properties of photoconverters based on CdHgTe/Si, development of theoretical model of uncooled IR-detector based on CdHgTe/Si. The purpose of the work is the development of theoretical model of the IR-photodetector using piezoelectric effect in heterostructure cadmium-mercury-tellurium (CMT) on silicon, which works without cryogenic cooling. The first chapter provides a literature review, which addresses theoretical basics of work and characteristics of IR-receivers. In the second section of the review common materials, technological synthesis methods of CMT and their analogs as well as main physical properties and parameters of based on this materials photoconverters were discussed. The third section includes synthesis of films of heterostructures based on CMT, analysis of structural, spectral and optical properties. The fourth section includes the development of theoretical model of uncooled IR-detector based on CdHgTe/Si. In the fifth section, startup project was presented.uk
dc.description.abstractukРоботу викладено на 95 сторінках, вона містить 5 розділів, 29 ілюстрацій, 25 таблиць і 49 джерел в переліку посилань. Об’єктом дослідження став неохолоджуваний фотовольтаїчний перетворювач ІЧ-діапазону на основі гетероструктури CdHgTe/Si. Предмет роботи – дослідження спектральних та оптичних характеристик фотоперетворювачів на основі CdHgTe/Si, розробка теоретичної моделі неохолоджуваного ІЧ-детектора на основі гетероструктури CdHgTe/Si. Метою даної роботи є розробка теоретичної моделі фотодетектора інфрачервоного випромінювання із використанням п'єзоелектричного ефекту в гетероструктурі кадмій-ртуть-телур (КРТ) на підкладці Si, що працює без використання кріогенного охолодження. В першому розділі подано огляд літератури, в якому розглядається теоретичні основи роботи та характеристики приймачів ІЧ-випромінювання. В другому розділі роботи проводився аналіз матеріалів, технологічних методів синтезу КРТ та їх аналогів, та був зроблений огляд їх основних фізичних властивостей та параметрів фотоприймачів на їх основі. В третьому розділі наведені синтез плівок гетероструктури на основі КРТ, аналіз структурних, спектральних та оптичних характеристик. В четвертому розділі було проведено розробку теоретичної моделі неохолоджуваного ІЧ-детектора на основі гетероструктури CdHgTe/Si. В п’ятому розділі було представлено розробку старт-ап проекту.uk
dc.format.page95 с.uk
dc.identifier.citationЛєдєньов, Д. К. Неохолоджуваний фотовольтаїчний перетворювач ІЧ-діапазону на основі гетероструктури Si/CdHgTe : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Лєдєньов Дмитро Костянтинович. – Київ, 2018. – 95 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/22989
dc.language.isoukuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectнеохолоджуваний фотовольтаїчний перетворювачuk
dc.subjectгетероструктураuk
dc.subjectІЧ-детекторuk
dc.subjectдеформаціяuk
dc.subjectп’єзовластивостіuk
dc.subjectCdHgTeuk
dc.subjectuncooled photovoltaic converteruk
dc.subjectheterostructureuk
dc.subjectIR-detectoruk
dc.subjectdeformationuk
dc.subjectpiezopropertiesuk
dc.titleНеохолоджуваний фотовольтаїчний перетворювач ІЧ-діапазону на основі гетероструктури Si/CdHgTeuk
dc.typeMaster Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
Liedienov_magistr.pdf
Розмір:
2.27 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.8 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: