Электротепловой анализ мощных субмикронных полевых гетеротранзисторов на основе нитрида галлия

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorТимофеев, Владимир Ивановичru
dc.contributor.authorСеменовская, Елена Владимировнаru
dc.contributor.authorФалеева, Елена Михайловнаru
dc.contributor.authorTimofeyev, Vladimir I.en
dc.contributor.authorSemenovskaya, Elena V.en
dc.contributor.authorFalieieva, Olena M.en
dc.date.accessioned2016-11-02T10:24:51Z
dc.date.available2016-11-02T10:24:51Z
dc.date.issued2016
dc.descriptionПолный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347016020035ru
dc.description.abstractenPhysical processes and self-heating factors of in a power submicron field-effect heterotransistor have been considered. Mathematical models were proposed and the electrothermal analysis of heterotransistor parameters and characteristics was performed. The impact of thermal processes on parameters of the circuit model and the output frequency characteristics of submicron heterotransistor was shown on the basis of analysis of temperature fields. The relationship of the transistor thermal resistance as a function of its geometry and thermophysical parameters has been established.en
dc.description.abstractruРассмотрены физические процессы и факторы саморазогрева в мощном субмикронном полевом гетеротранзисторе. Предложены математические модели и проведен электротепловой анализ параметров и характеристик гетеротранзистора. На основе анализа температурных полей показано влияние тепловых процессов на параметры схемной модели и выходные частотные характеристики субмикронного гетеротранзистора. Установлена зависимость теплового сопротивления транзистора от его геометрических и теплофизических параметров.ru
dc.identifier.citationТимофеев, В. И. Электротепловой анализ мощных субмикронных полевых гетеротранзисторов на основе нитрида галлия / В. И. Тимофеев, Е. В. Семеновская, Е. М. Фалеева // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2016. – Т. 59, № 2 (644): Наноэлектроника. – C. 23–32. – Библиогр.: 18 назв.ru
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/S0021347016020035
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/17943
dc.language.isoruuk
dc.publisherНТУУ «КПИ»ru
dc.publisher.placeКиевuk
dc.sourceИзвестия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2016, Т. 59, № 2 (644): Наноэлектроникаru
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectсубмикронный гетероструктурный транзисторru
dc.subjectнитрид галлияru
dc.subjectтепловые поляru
dc.subjectэффект саморазогреваru
dc.subjectчастотные характеристики усиленияru
dc.subjectsubmicron heterostructure transistoren
dc.subjectgallium nitrideen
dc.subjectthermal fieldsen
dc.subjectself-heating effecten
dc.subjectgain frequency characteristicsen
dc.subject.udc621.382.323uk
dc.titleЭлектротепловой анализ мощных субмикронных полевых гетеротранзисторов на основе нитрида галлияru
dc.title.alternativeElectrothermal analysis of GaN power submicron field-effect heterotransistorsen
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2016-02-23.pdf
Розмір:
56.82 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Первая страница
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал, Т. 59, № 2 (644): Наноэлектроника