Электротепловой анализ мощных субмикронных полевых гетеротранзисторов на основе нитрида галлия
Вантажиться...
Дата
2016
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУУ «КПИ»
Анотація
Опис
Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347016020035
Ключові слова
субмикронный гетероструктурный транзистор, нитрид галлия, тепловые поля, эффект саморазогрева, частотные характеристики усиления, submicron heterostructure transistor, gallium nitride, thermal fields, self-heating effect, gain frequency characteristics
Бібліографічний опис
Тимофеев, В. И. Электротепловой анализ мощных субмикронных полевых гетеротранзисторов на основе нитрида галлия / В. И. Тимофеев, Е. В. Семеновская, Е. М. Фалеева // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2016. – Т. 59, № 2 (644): Наноэлектроника. – C. 23–32. – Библиогр.: 18 назв.