Транзистор на базі нанорозмірних технологій

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorЦибульский, Леонід Юрійович
dc.contributor.authorРадука, Андрій Миколайович
dc.date.accessioned2024-03-05T09:15:17Z
dc.date.available2024-03-05T09:15:17Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstractМета дослідження полягала у встановлені конструктивних та технологічних напрямків розвитку нанорозмірних транзисторів, комп‘ютерному моделюванні та дослідженні вольт амперних характеристик нанотранзистора з тунельними переходами. У роботі були використані метод наукового аналізу конструкцій нанорозмірних транзисторів, методи математичної фізики та чисельного розрахунку для розробки та дослідження моделі нанорозмірного польового транзистора з тунельними переходами між електродами. Були розроблені моделі фізичних процесів у нанорозмірному польовому транзисторі з тунельними переходами між електродами; встановлена залежність форми вольт амперних характеристик від теплового збудження носіїв; розраховані вольт амперні характеристики нанорозмірного транзистора з тунельними переходами між електродами. Проаналізовано стан розвитку нанорозмірних транзисторів різних конструктивних типів: кремнієві, гетеротранзистори, нанотранзистори на основі вуглецевих трубок та фізичні засади роботи нанорозмірних транзисторів. Проведено аналіз математичних методів моделювання електричних процесів в нанорозмірних структурах. Розроблені моделі нанорозмірного транзистора з тунельними електродами та досліджено його вольт амперні характеристики. Також був виконаний стартап-проект.
dc.description.abstractotherThe purpose of the study was to establish the design and technological directions of development of nanoscale transistors, computer modeling and study of volt-ampere characteristics of nanotransistors with tunnel junctions. The method of scientific analysis of nanoscale transistor designs, methods of mathematical physics and numerical calculation were used in the work for development and research of the model of nanoscale field-effect transistor with tunnel transitions between electrodes. Models of physical processes in a nanoscale field-effect transistor with tunnel transitions between electrodes have been developed; the dependence of the shape of volts and ampere characteristics on the thermal excitation of the carriers is established; calculated volt-ampere characteristics of a nanosized transistor with tunnel transitions between electrodes. The state of development of nanoscale transistors of different structural types is analyzed: silicon, heterotransistors, nanotransistors based on carbon tubes and the physical principles of nanoscale transistors. The analysis of mathematical methods of modeling of electric processes in nanoscale structures is carried out. Models of a nanosized transistor with tunnel electrodes have been developed and its volt-ampere characteristics have been studied. A startup project was also implemented.
dc.format.extent94 с.
dc.identifier.citationРадука, А. М. Транзистор на базі нанорозмірних технологій : магістерська дис. : 171 Електроніка / Радука Андрій Миколайович. – Київ, 2021. – 94 с.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/65205
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.subjectнаноелектроніка
dc.subjectпольовий транзистор
dc.subjectвольтамперні характеристики
dc.subjectметрика транзисторів
dc.subjectуправління транзисторами
dc.subjectnanoelectronics
dc.subjectfield-effect transistor
dc.subjectcurrent-voltage characteristics
dc.subjecttransistor metrics
dc.subjecttransistor control
dc.subject.udc621.382.323
dc.titleТранзистор на базі нанорозмірних технологій
dc.typeMaster Thesis

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2021_magistr_EDS_Raduka_Andriy_Tranzystor.pdf
Розмір:
2.56 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Магістерські роботи (ЕПС)
Магістерські роботи