Сенсор N-гексану на основі поверхневого плазмонного резонансу

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДорожинська, Г. В.
dc.contributor.authorФедоренко, А. В.
dc.contributor.authorКачур Н. В.
dc.contributor.authorМаслов, В. П.
dc.contributor.authorДорожинський, Г. В.
dc.date.accessioned2025-09-16T11:23:36Z
dc.date.available2025-09-16T11:23:36Z
dc.date.issued2025
dc.format.pagerangeС. 199-202
dc.identifier.citationСенсор N-гексану на основі поверхневого плазмонного резонансу / Дорожинська Г. В., Федоренко А. В., Качур Н. В., Маслов В. П., Дорожинський Г. В. // XXІV Міжнародна науково-технічна конференція "Приладобудування: стан і перспективи", 13-14 травня 2025 р., м. Київ, Україна : збірник матеріалів конференції. – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2025. – С. 199-202. – Бібліогр. 6 назв.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/76068
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.relation.ispartofХХІV Міжнародна науково-технічна конференція «Приладобудування: стан і перспективи», 13-14 травня 2025 р., Київ, Україна: збірник матеріалів конференції.
dc.subjectоксид цинку
dc.subjectсенсор
dc.subjectповерхневий плазмонний резонанс
dc.subjectгексан
dc.subject.udc53.082.539
dc.titleСенсор N-гексану на основі поверхневого плазмонного резонансу
dc.typeArticle

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
199-202.pdf
Розмір:
236.66 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Приладобудування: стан і перспективи (24 ; 2025 ; Київ)