Електричні характеристики діодів Шотткі на основі IGZO

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorБорисов, Олександр Васильович
dc.contributor.authorЦуканов, Олександр Вадимович
dc.date.accessioned2023-03-01T08:22:06Z
dc.date.available2023-03-01T08:22:06Z
dc.date.issued2022
dc.description.abstractenThe object of the study is to determine the electrical characteristics of Schottky diodes based on IGZO. The subject of the work is an algorithm for determining the electrical parameters of Schottky diodes based on IGZO. The purpose of the work is to develop a new algorithm for determining the electrical characteristics of Schottky diodes (built-in potential, static dielectric constant of the material, charge density in the depletion region, width of the depletion region). The first informational and analytical section made it possible to consider the features of the use of IGZO material in Schottky diodes. In the second chapter, the volt-farad methods of research of electrical parameters are described The third chapter is devoted to a comparative analysis of existing methods for calculating the electrical characteristics of Schottky diodes. In the fourth chapter, a new algorithm for calculating the electrical characteristics of Schottky diodes is developed. The fifth chapter presents the development of a startup project.uk
dc.description.abstractukОб’єктом дослідження є визначення електричних характеристик діодів Шотткі на основі IGZO. Предмет роботи – алгоритм визначення електричних параметрів діодів Шотткі на основі IGZO. Метою роботи є розробка нового алгоритму визначення електричних характеристик діодів Шотткі (вбудований потенціал, статична діелектрична проникність матеріалу, щільність заряду в області збіднення, ширина області збіднення). Перший інформаційно-аналітичний розділ дозволив розглянути особливості застосування матеріалу IGZO у діодах Шотткі. У другому розділі викладено вольт-фарадні методи дослідження електричних параметрів Третій розділ присвячений порівняльному аналізу існуючих методів розрахунку електричних характеристик діодів Шотткі. У четвертому розділі розроблено новий алгоритм розрахунку електричних характеристик діодів Шотткі. У п’ятому розділі представлено розробку стартап-проєкту.uk
dc.format.page80 с.uk
dc.identifier.citationЦуканов, О. В. Електричні характеристики діодів Шотткі на основі IGZO : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Цуканов Олександр Вадимович. – Київ, 2022. – 80 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/53189
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectіндій-галід-оксид цинкуuk
dc.subjectдіод Шотткіuk
dc.subjectвольт-фарадна характеристикаuk
dc.subjectалгоритм визначення параметрівuk
dc.titleЕлектричні характеристики діодів Шотткі на основі IGZOuk
dc.typeMaster Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Tsukanov_magistr.pdf
Розмір:
2.61 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.1 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Магістерські роботи (МЕ)
Магістерські роботи