Особливості пороутворення напівпровідників на прикладі селеніду цинку та фосфіду індію
Вантажиться...
Дата
2011
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУУ «КПІ»
Анотація
Подано методику отримання пористих шарів ZnSe та InP шляхом електрохімічного травлення в кислих розчинах. Морфологія поверхні досліджувалась на cкануючому електронному мікроскопі. Методом енерго-дисперсійної рентгенівської спектроскопії (EDAX) визначено хімічний склад поверхні одержаних пористих шарів.
Опис
Ключові слова
пористий InP, пористий ZnSe, cкануюча електронна мікроскопія, метод енерго-дисперсійного аналізу рентгенівських променів (EDAX)
Бібліографічний опис
Особливості пороутворення напівпровідників на прикладі селеніду цинку та фосфіду індію / Кідалов В .В., Мараховський О. В., Cичікова Я. О., Сукач Г. О. // Электроника и связь : научно-технический журнал. Тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии». – 2011. – №5(64). – С. 13-17. – Бібліогр.: 13 назв.