Особливості пороутворення напівпровідників на прикладі селеніду цинку та фосфіду індію
dc.contributor.author | Кідалов, В .В. | |
dc.contributor.author | Мараховський, О. В. | |
dc.contributor.author | Cичікова, Я. О. | |
dc.contributor.author | Сукач, Г. О. | |
dc.date.accessioned | 2023-10-12T14:24:21Z | |
dc.date.available | 2023-10-12T14:24:21Z | |
dc.date.issued | 2011 | |
dc.description.abstract | Подано методику отримання пористих шарів ZnSe та InP шляхом електрохімічного травлення в кислих розчинах. Морфологія поверхні досліджувалась на cкануючому електронному мікроскопі. Методом енерго-дисперсійної рентгенівської спектроскопії (EDAX) визначено хімічний склад поверхні одержаних пористих шарів. | uk |
dc.description.abstractother | The paper represent a methodology and mechanizm of obtaining porous layers in ZnSe and InP substrates by photoelectochemical etching in acid solutions. Morphology of the surface was investigated by using scanning electron microscopy. By using energy dispersion X-ray analysis method (EDAX) was determined chemical composition of the obtained film`s surface. | uk |
dc.format.pagerange | Pp. 13-17 | uk |
dc.identifier.citation | Особливості пороутворення напівпровідників на прикладі селеніду цинку та фосфіду індію / Кідалов В .В., Мараховський О. В., Cичікова Я. О., Сукач Г. О. // Электроника и связь : научно-технический журнал. Тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии». – 2011. – №5(64). – С. 13-17. – Бібліогр.: 13 назв. | uk |
dc.identifier.doi | https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.5.246861 | |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/61327 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | НТУУ «КПІ» | uk |
dc.publisher.place | Київ | uk |
dc.relation.ispartof | Электроника и связь: научно-технический журнал, № 5(64) | uk |
dc.rights.uri | https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | |
dc.subject | пористий InP | uk |
dc.subject | пористий ZnSe | uk |
dc.subject | cкануюча електронна мікроскопія | uk |
dc.subject | метод енерго-дисперсійного аналізу рентгенівських променів (EDAX) | uk |
dc.subject.udc | 539.217; 544.723 | uk |
dc.title | Особливості пороутворення напівпровідників на прикладі селеніду цинку та фосфіду індію | uk |
dc.type | Article | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- 246861-569542-1-10-20211220.pdf
- Розмір:
- 2.81 MB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: