Омічні та інжектуючі бар’єрні переходи до арсеніду галію
Вантажиться...
Дата
2019
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Опис
Роботу виконано на кафедрі мікроелектронних інформаційних систем Інженерного інституту Запорізького національного університету Міністерства освіти і науки України.
Ключові слова
GaAs, омічні та інжектуючі бар’єрні переходи, коефіцієнт інжекції, срібло, потрійний сплав, МЕП-прилад, ohmic and injection barrier transitions, injection rate, silver, triple alloys, IET-devices, омические и инжектирующие барьерные переходы, коэффициент инжекции, серебро, тройной сплав, МЭП-прибор
Бібліографічний опис
Дмитрієв, В. С. Омічні та інжектуючі бар’єрні переходи до арсеніду галію : автореф. дис. … канд. техн. наук : 05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки / Дмитрієв Вадим Сергійович. – Київ, 2019. – 23 с.