Омічні та інжектуючі бар’єрні переходи до арсеніду галію

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДмитрієв, Вадим Сергійович
dc.date.accessioned2019-09-16T12:19:27Z
dc.date.available2019-09-16T12:19:27Z
dc.date.issued2019
dc.descriptionРоботу виконано на кафедрі мікроелектронних інформаційних систем Інженерного інституту Запорізького національного університету Міністерства освіти і науки України.uk
dc.description.abstractenThe dissertation for the candidate of technical sciences degree (comparable to the Academic Degree of Doctor of Philosophy) on specialty 05.27.06 - Technology, equipment and production of electronic technique. - Engineering Institute of Zaporizhzhya National University, National Technical University of Ukraine “Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute”, Kyiv, 2019. The dissertation is devoted to the development of a technology for reproducible manufacturing ohmic and injection barrier transitions based on the silver to gallium arsenide of n-type conductivity. The influence of various factors on the quality of ohmic and injection barrier transitions to gallium arsenide is analyzed. It is established that the physical model of the real metal-semiconductor contact (MSC) is more complicated comparing to the ideal MSC models. A model, which describes the transport processes between metal electrons, boundary states, and free semiconductor carriers has got further developed. This model can take into account any physical mechanism of charge transfer in the metal-semiconductor structure by appropriate selection of kinetic coefficients in transfer processes. It is shown that the existing silver-arsenide gallium ohmic and injection barrier transitions producing technologies have a number of disadvantages, including the contact parameters reproducibility lack. The investigation of the metal deposition conditions and heat treatment regimes influence on the electrophysical parameters of metal-GaAs silver-containing contacts is highlighted in an independent scientific problem whose solution can lead to a significant representations refinement of processes in metal-GaAs contacts and will allow to improve the technical characteristics and parameters of microwave GaAs devices with the Schottky barriers in particular, devices with inter-valued electronic transitions (IET-devices). Thus, the study of patterns, the development and optimization of technological regimes for the reproducible manufacturing silver-GaAs based ohmic and injection barrier transitions with optimal performance and quality characteristics for microwave devices is an important and actual problem. The complex technological and electrophysical research of single- and multi-component metal contact systems based on the silver to n-n+GaAs have been made. It was experimentally established that the qualitative characteristics of ohmic and injection barrier transitions depend heavily on the temperature of the substrate and the contact structure heat treatment regimes. The patterns of the specific transient resistance dependence from the temperature regimes for the creation of ohmic contacts Ag-Ge-In/n-n+GaAs are established, which leads to the the specific transient resistance reducing to the minimum value, which is for an order smaller comparing to known analogues. It has been shown that the quality of the ohmic contact is improved if the GaAs substrate hold in dioxiacaric acid after the chemical treatment in the sulfuric acid and further anneal it in vacuum. The technology for the production of Ag/n-n+GaAs injecting barrier transitions are improved and optimized. It takes into account the barrier transitions forming patterns in different temperature regimes. The optimal regimes for the Schottky barrier height increasing up to 0,98 V are determined. It is established that the real current-voltage characteristics of the metal-semiconductor barrier transitions depend on their manufacturing technology. But the accuracy of the basic barrier transitions qualitative parameters (the φB barrier height and the nonideality η factor) depends not only on the accuracy of the measurement of current and voltage, but also on the method of their determination. The Schottky barrier height determination methods based on the current-voltage characteristics using as example the Ag/n-n+GaAs barrier transitions, produced under different heat treatment regimes, are analyzed and tested. With a small extension of the exponential part of the CVC, a direct approximation method is recommended for determining the potential barrier height. A simplified mathematical model of the IET-device with Schottky barriers is proposed. It can be used to calculate the parameters of complicated multifunctional IET-devices with several controlling electrodes. On the basis of this model, a multi-electrode IET-device with expanded functionality has been developed. This device is capable in certain modes to perform functions of a Schottky diod, an runway wave transistor or a microwave generator, which will allow to obtain a technical and economical effect by the cost reducing for developing of a number devices for the microwave range.uk
dc.description.abstractruДиссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.06 - Технология, оборудование и производство электронной техники. - Инженерный институт Запорожского национального университета, Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт имени Игоря Сикорского», 2019. Диссертационная работа посвящена разработке технологии воспроизводимого получения омических и инжектирующих барьерных переходов на основе серебра к арсениду галлия n-типа проводимости. Разработана технология воспроизводимого получения омических контактов Ag-Ge-In/n-n+GaAs, которая обеспечивает линейную ВАХ, коэффициент инжекции γ=0,07...0,00, контактное сопротивление (5...7) 10-5 Ом см2. Разработана технология воспроизводимого получения инжектирующих барьерных переходов Ag/n-n+GaAs с высотой потенциального барьера 0,98 В, коэффициентом инжекции γ=10-8, коэффициентом неидеальности η=1,087. Разработанные технологии нанесения контактного материала и режимов термообработки при создании омических и инжектирующих барьерных переходов рекомендуются к использованию при изготовлении многоэлектродного МЭП-прибора с расширенными функциональными возможностями, в состав которого входят управляющие электроды, расположенные над областью распространения бегущей волны.uk
dc.description.abstractukДисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки. – Інженерний інститут Запорізького національного університету, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», 2019. Дисертаційну роботу присвячено розробці технології відтворюваного отримання омічних та інжектуючих бар’єрних переходів на основі срібла до арсеніду галію n-типу провідності. Розроблено технологію відтворюваного отримання омічних контактів Ag-Ge-In/n-n+GaAs, яка забезпечує лінійну ВАХ, коефіцієнт інжекції γ=0,07…0,00, контактний опір (5…7)∙10-5 Ом∙см2. Розроблено технологію відтворюваного отримання інжектуючих бар`єрних переходів Ag/n-n+GaAs з висотою потенційного бар’єру 0,98 В, коефіцієнтом інжекції γ =10-8, коефіцієнтом неідеальності η=1,087. Розроблені технології нанесення контактного матеріалу та режимів термообробки при створенні омічних та інжектуючих бар’єрних переходів рекомендуються до використання при виготовленні багатоелектродного МЕП-приладу з розширеними функціональними можливостями, до складу якого входять керуючі електроди, розташовані над областю розповсюдження біжучої хвилі.uk
dc.format.page23 с.uk
dc.identifier.citationДмитрієв, В. С. Омічні та інжектуючі бар’єрні переходи до арсеніду галію : автореф. дис. … канд. техн. наук : 05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки / Дмитрієв Вадим Сергійович. – Київ, 2019. – 23 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/29305
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectGaAsuk
dc.subjectомічні та інжектуючі бар’єрні переходиuk
dc.subjectкоефіцієнт інжекціїuk
dc.subjectсріблоuk
dc.subjectпотрійний сплавuk
dc.subjectМЕП-приладuk
dc.subjectohmic and injection barrier transitionsuk
dc.subjectinjection rateuk
dc.subjectsilveruk
dc.subjecttriple alloysuk
dc.subjectIET-devicesuk
dc.subjectомические и инжектирующие барьерные переходыuk
dc.subjectкоэффициент инжекцииuk
dc.subjectсереброuk
dc.subjectтройной сплавuk
dc.subjectМЭП-приборuk
dc.subject.udc621.382.2/3uk
dc.titleОмічні та інжектуючі бар’єрні переходи до арсеніду галіюuk
dc.typeThesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Dmytriiev_aref.pdf
Розмір:
817.19 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Автореферати (вільний доступ)