Тривимірні мікросмужкові ємнісні шлейфні структури
dc.contributor.advisor | Нелін, Євген Андрійович | |
dc.contributor.author | Первак, Світлана Григорівна | |
dc.date.accessioned | 2019-01-29T15:47:09Z | |
dc.date.available | 2019-01-29T15:47:09Z | |
dc.date.issued | 2018 | |
dc.description.abstracten | The acuity of work is stipulated by the need to improve the structural and electrical parameters of microstrip stups structures and devices based on them, considering regular growing requirements to radiotechnicals systems where they are used. The purpose of research is simulation of microstrip capacitive stubs structures, to improve their electrical properties. Tasks of the research: 1. To develop a one-dimensional model of the line of transmission with a stub, taking into account the stub T-connection in the software package Mathcad. 2. To develop 3D model structures in the software package CST Microwave Studio. To perform a comparison of the results of one- and thridimensional modeling. To establish the peculiarities of the parasitic induction of microstrip T-connection from the structural parameters of the plume. Object of research — two- and three dimensional modeling of the capacitive stubs structure. Subject of research — modeling, characteristics and properties of the capacitive stubs structure. Scientific novelty of work: 1. The dependence of the parasitic inductance of the microstrip T-connection on the structural parameters of the stub is established. 2. A one-dimensional model for stub connection is proposed. 3. The peculiarities of capacitance dependence on frequency for microstrip capacitive section and capacitive stub are established. | uk |
dc.description.abstractuk | Актуальність роботи обумовлена необхідністю покращення конструктивних та електричних параметрів мікросмужкових шлейфних стуктур і пристроїв на їх основі з урахуванням постійного зростання вимог до радіотехнічних систем, де вони використовуються. Мета дослідження —– аналіз особливостей конструкцій та характерис-тик тривимірних мікросмужкових ємнісних шлейфних структур для покра-щення їх селективних властивостей. Завдання дослідження: 1. Розробити одновимірну модель лінії передачі зі шлейфом з урахуванням шлейфного Т-з’єднання у програмному пакеті Mathcad. 2. Розробити тривимірні моделі структур в програмному пакеті CST Microwave Studio. Виконати порівняння результатів одно- та тривимірного моделювання. Встановити особливості залежності паразитної індуктивності мікросмужкого Т-з’єднання від конструктивних параметрів шлейфа. Об’єкт дослідження — дво- та тривимірні мікросмужкові ємнісні шлейфні структури. Предмет дослідження — моделі, характеристики та властивості мікросмужкових ємнісних шлейфних структур. Наукова новизна одержаних результатів: 1. Встановлено залежності паразитної індуктивності шлейфного Т-з’єднання від конструктивних параметрів шлейфа. 2. Запропоновано одновимірну модель для шлейфного з’єднання. 3. Встановлено особливості залежностей ємності від частоти для мікросмужкових ємнісної секції та ємнісного шлейфа. | uk |
dc.format.page | 91 с. | uk |
dc.identifier.citation | Первак, С. Г. Тривимірні мікросмужкові ємнісні шлейфні структури : магістерська дис. : 172 Телекомунікації та радіотехніка / Первак Світлана Григорівна. - Київ, 2018. - 91 с. | uk |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/26119 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher.place | Київ | uk |
dc.subject | фільтр нижніх частот | uk |
dc.subject | ємнісний шлейф | uk |
dc.subject | тривимірне моделювання | uk |
dc.subject | capacitive stubs | uk |
dc.subject | low pass filter | uk |
dc.subject | one-dimensional modeling | uk |
dc.subject | tridimensional modeling | uk |
dc.subject.udc | 621.372.54 | uk |
dc.title | Тривимірні мікросмужкові ємнісні шлейфні структури | uk |
dc.type | Master Thesis | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- Pervak_magistr.pdf
- Розмір:
- 5.3 MB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 7.74 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: