Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів
Вантажиться...
Дата
2012
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
Звіт про НДР "Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів" : 269 с., 107 рис., 7 табл., 150 джерел.
Метою роботи є створення інформаційного забезпечення для моделювання перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення.
Предметом роботи є дослідження фізичних процесів та фізико-типологічне моделювання наноструктурних електронних приладів: багатошарових гетеротранзисторних структур, гетеротранзисторів із квантовими точками, приладів та структур з резонансним тунелюванням для розробки і впровадження технологій їх виготовлення.
Робота спрямована на математичне моделювання для створення теоретичних засад і розроблення перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення.
В даній роботі показана можливість моделювання елктричних властивостей тринітридних сполук з різними модефікаціями кристалічної решітки в сильних електричних полях та запропоновано набір вхідних даних, що забезпечує адекватність моделювання.
Запропоновані методика і програмні засоби для моделювання характеристик широкого кола напівпровідникових нанометрових приладів; включаючи гетеробіполярні транзистори, гетеротранзистори із квантовими точками, прилади та структури з резонансним тунелюванням: топологія і конструкції перспективних напівпровідникових нанометрових приладів.
Запропоновані у роботі математичні моделі, алгоритми і програми сприяють створенню сучасних напівпровідникових компонентів для теленкомукаційних систем обробки сигналів, розвитку нанотехнологій.
Опис
Ключові слова
тринітриди, часи релаксації, імпульсні властивості, резонансно-тунельний діод, самоузгоджена модель, гетеротранзистор із квантовими точками, теплова модель, тепловий опір
Бібліографічний опис
Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ"; кер. роб. В. І. Тимофєєв. - К., 2012. - 269 л. + CD-ROM. - Д/б №2428-п