Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів
| dc.contributor.advisor | Тимофєєв, В. І. | |
| dc.contributor.researchgrantor | Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут" | |
| dc.date.accessioned | 2013-05-20T09:52:57Z | |
| dc.date.available | 2013-05-20T09:52:57Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.description.abstract | Звіт про НДР "Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів" : 269 с., 107 рис., 7 табл., 150 джерел. Метою роботи є створення інформаційного забезпечення для моделювання перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. Предметом роботи є дослідження фізичних процесів та фізико-типологічне моделювання наноструктурних електронних приладів: багатошарових гетеротранзисторних структур, гетеротранзисторів із квантовими точками, приладів та структур з резонансним тунелюванням для розробки і впровадження технологій їх виготовлення. Робота спрямована на математичне моделювання для створення теоретичних засад і розроблення перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. В даній роботі показана можливість моделювання елктричних властивостей тринітридних сполук з різними модефікаціями кристалічної решітки в сильних електричних полях та запропоновано набір вхідних даних, що забезпечує адекватність моделювання. Запропоновані методика і програмні засоби для моделювання характеристик широкого кола напівпровідникових нанометрових приладів; включаючи гетеробіполярні транзистори, гетеротранзистори із квантовими точками, прилади та структури з резонансним тунелюванням: топологія і конструкції перспективних напівпровідникових нанометрових приладів. Запропоновані у роботі математичні моделі, алгоритми і програми сприяють створенню сучасних напівпровідникових компонентів для теленкомукаційних систем обробки сигналів, розвитку нанотехнологій. | |
| dc.identifier | № держреєстрації 0111U000774 | |
| dc.identifier | код КВНТД І.2 12.11.13 | |
| dc.identifier | Д/б №2428-п | |
| dc.identifier.citation | Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ"; кер. роб. В. І. Тимофєєв. - К., 2012. - 269 л. + CD-ROM. - Д/б №2428-п | |
| dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/2696 | |
| dc.language.iso | uk | uk |
| dc.rights | Звіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу. | |
| dc.status.pub | published | uk |
| dc.subject | тринітриди | |
| dc.subject | часи релаксації | |
| dc.subject | імпульсні властивості | |
| dc.subject | резонансно-тунельний діод | |
| dc.subject | самоузгоджена модель | |
| dc.subject | гетеротранзистор із квантовими точками | |
| dc.subject | теплова модель | |
| dc.subject | тепловий опір | |
| dc.title | Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів | uk |
| dc.type | Technical Report | uk |